대만 DRAM 칩 제조사인 렉스칩 (Rexchip Electronics)은 40nm 공정에서 30nm 공정 기술 업그레이드를 예상보다 앞서 완료했다고 밝혔으며, 공정 이전에 따라 12인치 웨이퍼 (Wafer)를 통해 매달 8만 개의 30nm DRAM 칩을 공급할 수 있을 것이라고 digitimes는 전했다.
렉스칩은 올해 초 40nm DRAM 공정을 30nm로 대체할 것이라고 밝혔고 이를 바탕으로 삼성전자나 하이닉스반도체에 대응 가능할 것이라고 전한 바 있으며, 30nm 공정 기술 적용 스케쥴은 원래 2011년 말로 알려졌으나 이보다 한달 앞서 30nm 공정 기술을 업그레이드 완료했다.
30nm 기반으로 생산된 2Gb DDR3 칩의 비용은 패키징과 테스트 등을 포함해 1.1달러 ($1.1)에서 1.2달러 ($1.2) 사이이며, 4Gb DDR3 칩은 약 2달러 ($2)로 알려져 있어 이전 40nm 공정보다 가격 경쟁력이 높아진다.
렉스칩은 현재 40nm 기반 DRAM을 모회사인 엘피다 (Elpida Memory)에 공급하고 있으며, 40nm 기반 DRAM을 매달 2만 장의 웨이퍼를 공급해 전체 공급량의 25%의 점유율을 갖고 있다.
렉스칩의 30nm 공정 업그레이드가 예상보다 빠르게 진행됨에 따라 대만 경쟁 DRMA 업체들과의 경쟁력을 갖출 수 있을 것으로 예상된다. 그러나 여전히 삼성전자나 하이닉스반도체는 진보된 30nm 공정 기반 제품의 생산 및 차기 미세 공정의 개발을 진행하는 등 이들을 앞서고 있기 때문에 어느 정도 만회가 가능할지는 여전히 더 지켜봐야할 것이다.
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