Micron에서 태블릿 및 초박형 시장을 겨냥한 저전력 DDR3 신제품 카테고리를 신설했다고 밝혔다.
DDR3Lm으로 불리는 신제품은 Micron 30nm급 제조 기술로 만들어진 2Gb 및 4Gb 솔루션으로 출시되며 저전력 리프레시에 중점을 두고 배터리 수명을 늘리는 동시에 PC DRAM의 고성능 및 비용 효율성을 유지할 수 있는 것으로 알려졌다.
2Gb DDR3Lm 메모리는 표준 2GB DDR3L에 비해 최대 50%의 셀프-리프레시 전력이 절감되는 한편, 필요시 최대 1600MT/s의 성능을 제공한다.
4Gb DDR3Lm 메모리는 2Gb 제품과 동일하게 최적화된 전력 효율을 제공하며, 칩 갯수를 줄여서 초박형 태블릿을 만들고자 하는 제조사에게 적합하다. 4Gb 디바이스는 대기 모드에서 3.7mA의 전력을 소비하며 최대 1866MT/s의 속도를 지원할 예정이다.
Micron의 DRAM 마케팅 담당 부사장 Robert Feurle은 "전력 감소는 빠르게 성장하는 초박형 시장에서 가장 중요한 문제로 등장하고 있다. 전통 방식의 PC 메모리 요건을 누구보다 잘 아는 Micron은 이러한 시장에서 높은 성능과 최적의 비용 효율성을 구현할 수 있다"며, "고객과 협업하고 DRAM기술을 선도하기 위한 당사의 노력은 이미 성공을 거두었고, 이번에 선보이는 30nm DRAM에서도 당사의 약속을 계속 지켜나갈 것"이고 밝혔다.
Micron의 새 DDR3Lm 저전력 제품 라인 샘플링은 이미 시작되었고, 30nm급 디바이스의 대량 생산은 2012년 2분기에 시작될 예정이다.
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