최근 DRAMeXchange는 PC 수요 및 노트북 선적량의 감소가 10월에도 지속되고 있다고 전했으며, 이로 인한 DRAM 수요 역시 하락하고 있다고 전했다.
DDR3 4GB 메모리 모듈은 메인스트림으로 자리잡고 있으나 2GB 모듈보다 더 뚜렷한 하락세가 이루어지고 있다고 밝혔다. DDR3 4GB 평균 모듈 가격은 1.54%가 낮아진 16달러 ($16)를 기록했으며, 가격 하락으로 16달러 ($16) 이하인 15.75달러 ($15.75)에 도달했다. 2Gb 칩은 0.83달러 ($0.83)를 기록해 현물 가격과 거의 같아졌다고 전했으며, DDR3 2GB는 이전과 동일한 9.25달러 ($9.25)에 머물렀다.
경기침체로 인해 수요 감소, 그리고 칩 가격의 하락 등으로 과잉공급 상황에 머물렀고 DRAM 제조사는 수요를 고려해 감산을 진행하고 있다. 제조사들은 이를 고려한 2013년 전력을 계획하고 있는 것으로 알려졌다. 삼성전자는 2013년 투자 및 성능률을 낮게 낮고 있으며, 28nm 공정 이전 계획도 늦추고 있다. 삼성전자는 25nm 공정을 EUV 기술로 이전을 계획하고 있으며 모바일 DRAM 생산에 진보된 공정 등을 도입할 계획인 것으로 알려졌다.
전반적인 DRAM 업계는 현재 PC DRAM에서 모바일 DRAM으로 주축이 이동하고 있으며, 2013년에는 태블릿PC 등의 수요가 현재보다 크게 증가할 것으로 예상했다.
2009년 메인스트림은 60nm 공정에서 현재는 30nm 공정으로의 이전이 이루어졌으며 매년 제조사들은 1세대에서 1.5세대 이전을 이루어왔다. 그러나 전세계 경기침체와 스마트폰 및 태블릿PC의 수요가 확대되면서 PC 수요 감소가 더 빠르게 진행됨에 따라 DRAM 제조사들은 공정 이전 등의 투자비용을 줄이고 있다.
DRAM 공급에서 기술 이전은 높은 생산성을 이룰 수 있는 것으로 보고 있다. 그러나 시장의 과잉공급이 최근 몇 년동안 시장에서 발생했고 이로 인해 제조 공정 이전과 투자는 매년 감소추세가 이어져 왔다. 30nm 공정은 현재 삼성전자와 SK하이닉스 (SK Hynix) 등의 주요 DRAM 제조사의 메인스트림 공정 기술이며, 28nm 공정은 2013년 2분기까지는 생산량의 50%를 넘지 못할 것으로 알려졌다. 삼성전자의 20nm 공정은 서버와 모바일 메모리에 적용되고 여전히 PC에는 40nm와 30nm 공정이 적용되고 있다.
내년 비트 공급 성장률 (Bit Supply Growth)은 19% 정도로 최근 몇 년동안보다 낮아질 것으로 전망했으며 마이크론 (Micron)과 엘피다 (Elpida)는 현재 30nm 공정 이전에 머물러있다. 엘피다는 클라이언트 테스트를 끝마치고 다음달부터 본격적인 양산이 이루어질 것으로 알려졌다.
대만의 제조사들은 PC DRAM 수익이 큰 폭의 적자를 가져와 PC DRAM 생산 축소 및 공정 이전을 늦추고 있다. 난야 (Nanya)는 PC DRAM 대신 특수 DRAM 생산 및 파운드리 사업에 중심을 둘 계획인 것으로 알려졌다. 파워칩 (Powerchip)은 일반 DRAM 출하량을 줄이고 있으며, 매달 웨이퍼 생산을 20,000 장으로 줄이고 있다.
이런 추세가 이어질 경우 DRAMeXchange는 2013년 비트 공급 성장률이 22.2%보다 낮아질 것으로 예상했다.
현재 DRAM 산업은 경쟁 시장으로 과잉공급이 이어지고 있어 가격 상승에 대해서는 회의적인 입장인 것으로 알려졌다. DRAM의 가격 하락속에 제조사들은 투자를 줄이고 공정 이전을 늦추는 등의 노력으로 2013년에는 DRAM 산업이 회복세로 돌아설 것으로 전망했다.
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