삼성전자와 SK하이닉스 (SK Hynix), 마이크론 (Micron) 등의 PC 메모리 제조사는 현재 메인스트림으로 사용되고 있는 DDR3 SDRAM의 후속으로 차세대 DDR4 SDRAM을 개발 중이고 일부 제조사는 올해 내로 양산을 시작할 것으로 알려졌다.
이중 DDR4 메모리 모듈을 30nm 공정으로 개발할 것으로 알려진 마이크론은 자사의 글로벌 브랜드로 알려진 크루셜 (Crucial)을 통해 CES 2013에서 첫 DDR4 DRAM 모듈 샘플을 전시했다고 techpowerup은 전했다.
크루셜이 공개한 DDR4 DRAM은 Ballistix DDR4 DRAM 모듈로 마이크론의 30nm 공정 기술 기반으로 제작되었으며 4Gb (gigabit) DDR4 x8 칩으로 구성되며 RDIMMs, LRDIMMs, SODIMMs, UDIMMs (표준/ ECC) 등으로 적용 가능하다.
또한 크루셜 DDR4 DRAM 모듈은 이전 기술보다 최대 20% 낮은 전압을 제공하며, 보다 작고 더 효율적인 폼팩터 구성을 바탕으로 배터리 시간을 늘릴 수 있을 것으로 알려졌다. DDR4 DRAM은 1.2V로 동작하며 현재의 DDR3 모듈의 1.35V에서 1.5V보다 낮게 설정된다.
메인스트림 데이터 전송률은 DDR3 메모리보다 최대 2배가 빠르며 데이터 처리와 애플리케이션 로드, 시스템 반응속도 개선, 멀티태스크와 대량의 데이터 프로로그램 등에서 향상이 이루어질 것으로 알려졌다.
크루셜이 개발 중인 차세대 DDR4 DRAM은 2013년 말 출하가 시작될 것이라고 전했다.
차세대 DDR4 DRAM의 이같은 양산 소식에도 불구하고 현재까지 AMD나 인텔 모두 데스크탑 시장에 DDR4 메모리를 탑재할 것으로 알려지지 않아 2013년 양산이 시작되더라도 사용 가능한 시스템은 이보다 늦은 등장이 예상된다. 실제 활용되는 시스템은 2014년을 지나 2015년 즈음 대중화가 이루어질 것으로 전망하고 있다.
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