오는 2월에 개최될 ISSCC(International Solid State Circuits Conference)에서 도시바와 샌디스크에서 ReRAM을 사용한 시제품을 선보일 것이라는 소식이 전해졌다.
inquirer에 따르면, ISSCC에서 선보일 도시바와 샌디스크의 ReRAM 시제품은 24nm 공정을 이용한 32GB 모델이 될 것으로 알려졌으며, 성능과 소비전력, 수명등에 관한 정보는 전해지지 않았다.
ReRAM(Resistive Random Access Memory)은 전기적 신호 인가시 메모리 소자의 저항이 변화하는 성질을 이용한 비 휘발성 메모리로, 현재 SSD나 USB, 메모리 카드등에 사용되는 낸드 플래시를 대체할 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있다.
이 외에 PRAM(Phase Change RAM), NFGM(Nano Floatin Gate Memory), PoRAM(Polymer RAM), MRAM(Magnetic RAM)등의 비휘발성 메모리가 연구되고 있으며, ISSCC는 2월 17일부터 21일까지 샌프란시스코에서 개최된다.
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