현재 PC 관련 칩셋을 비롯한 대부분의 반도체 생산에 필수적인 결정화된 실리콘 생산은 약 1000℃ 이상의 고온을 이용하는 과정에서 이산화 탄소와 같은 환경에 부정적인 부산물이 발생하는데, 이를 획기적으로 줄일 수 있는 기술이 개발되었다.
미시간 대학에 따르면 이번에 개발한 기술은 기존보다 약 1/10 수준인 82.2℃(화씨 180Ｆ)에서 실리콘 결정을 얻을 수 있는 것으로, 실리콘 테트라클로라이드(Silicon tetrachloride) 수용액과 액화 갈륨으로 코팅된 전극을 이용해 실리콘 테트라클로라이드를 로우 실리콘(raw silicon)으로 변환 시키는 방식이라고 설명했다.
새로운 방식으로 생산된 실리콘 크리스탈 결정 전자 현미경 사진
연구팀에 따르면 이번 연구에서 실리콘 결정은 갈륨 전자 표면에 약 1/2000mm 두께(지름)로 축적되었으며, 아직 상용화를 논할 단계는 아니지만 현재 반도체 제품의 기반이랄 수 있는 실리콘의 생산에 필요한 에너지와 부산물, 비용을 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대된다고 언급했다.
한편, 연구팀은 관련 기술에 대한 특허를 신청하고 실리콘 결정의 크기를 키우기 위한 연구를 계속할 방침으로, 해당 기술의 상용화를 위한 파트너를 구하는 중이라고 전했으며, 자세한 내용은 미시간 대학 홈페이지에서 확인할 수 있다.
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