지난 2월 5일 듀얼 코어 Cortex-A9 프로세서에 14nm-XM FinFET 기술을 적용할 것이라고 밝혔던 글로벌파운드리(http://www.globalfoundries.com/)가 20nm 공정을 활용한 3D TSV 기술을 시연했다고 밝혔다.
글로벌파운드리의 Fab8에서 처음으로 적용된 3D TSV(Through-Silicon Vias) 기술은 지금까지 일반적으로 적용되었던 단일 칩 구조를 위로 쌓아올려 각 칩들을 TSV로 관통하는 방식으로 통합, 각각의 반도체 칩을 평면으로 구성할 때와 비교해 소비전력과 성능등을 개선하기 위한 기술로, 마이크론과 삼성전자, SK Hynix, ARM, IBM 등이 참여한 HMC(Hybrid Memory Cube) 컨소시움이 개발 중인 HMC가 3D TSV 기술을 적용하고 있다.
글로벌파운드리는 이번에 시연된 20nm 공정 3D TSV 기술은 BEOL(Back End of the Line)의 시작에 앞서 FEOL(Front End of the Line)이 끝난 웨이퍼에 TSV를 삽입하는 방식을 사용했다.
글로벌파운드리에 의하면, 이런 방법을 통해 FEOL 제조과정에서 고열을 피할 수 있을 뿐만 아니라 TSV 물질로 구리를 사용하면서도 제조공정을 28nm에서 20nm로 미세화할 수 있으며, 20nm-LPM 공정에 통합하는 과정을 최소화할 수 있다고 설명했다.
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