SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사 박성욱)가 20나노급 기술을 적용해 세계 최초로 8Gb(기가비트) LPDDR3 제품을
개발했다고 밝혔다. 
이번에 개발된 20나노급 8Gb LPDDR3 제품은 고용량, 초고속, 저전력 특성을 갖춘 모바일 메모리 솔루션으로, 8Gb(1GB) 제품을
4단 적층하면 기존의 4Gb 제품으로는 구성할 수 없었던 4GB(기가바이트)의 고용량 제품을 한 패키지에서 구현할 수 있다. 또한 고용량을
구성할 때 패키지 높이가 4Gb 대비 획기적으로 얇아져 모바일 기기의 최신 트렌드에 적합한 초박형 구성이 가능하다. 성능 면에서도 기존 LPDDR3의 데이터 전송속도인 1600Mbps를 넘어서는 2133Mbps를 구현해 모바일 제품 중 최고 속도를
갖췄으며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널 메모리에서는 최대 8.5GB/s, 듀얼 채널로는 17GB/s의 데이터를 처리할 수
있다. 또한 1.2V 동작전압을 가진 저전력 제품으로 LPDDR2 대비 동작 속도는 2배, 대기전력 소모도 LPDDR2 4Gb 대비 10% 이상
줄어들어 모바일 기기에서 필요한 저전력과 고성능의 특성을 모두 만족시킬 수 있다. 이번에 개발된 20나노급 LPDDR3 8Gb 제품은 PoP(Package on Package) 및 eMMC(embedded Multi
Media Card)와 한 패키지로 구성해 모바일 기기에 사용될 수 있으며, 고성능의 울트라북과 Tablet PC에도 바로 장착할 수 있는
온보드(On-board)용으로도 구성이 가능하다. SK하이닉스 마케팅본부장 진정훈 전무는 "이번 20나노급 고용량 LPDDR3 제품 개발을 통해 모바일 기기에 적합한 최고의 성능을 갖춘
제품을 시장에 공급할 수 있게 됐다"면서 "특히 동일한 미세공정을 적용해 PC용 제품과 병행 개발함으로써 모바일 제품에 대한 최고 수준의
기술경쟁력을 확보했다는데 의미가 크다"고 밝혔다. SK하이닉스는 20나노급 LPDDR3 8Gb 제품 샘플을 고객에게 공급하기 시작했으며, 올해 연말 양산을 목표로 하고 있다고 밝혔다.
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