인텔은 오는 9월 초 하이엔드 데스크탑 라인업에 샌디브릿지-E (Sandy Bridge-E) 후속으로 아이비브릿지-E (Ivy Bridge-e) 프로세서를 출시할 계획인 것으로 알려진 가운데 6코어 기반 아이비브릿지-E의 웨이퍼 및 다이 이미지 등이 공개되었다.
아이비브릿지-E 프로세서는 LGA2011 소켓을 유지해 기존 샌디브릿지-E 지원 X79 칩셋 메인보드에서 바이오스 업데이트로 동작할 것으로 알려졌으며, 22nm 3D 트랜지스터 공정을 도입해 전력 효율 및 성능 향상이 이루어진다.
expreview는 최근 인텔에 의해 공개된 것으로 알려진 아이비브릿지-E 프로세서의 웨이퍼 및 다이 이미지를 소개했다. 네이티브 6코어 기반인 아이비브릿지-E는 300mm 크기의 웨이퍼 (Wafers)로 제작되며 코어 면적은 260mm^2라고 전했다.
아이비브릿지-E 프로세서 웨이퍼
네이티브 8코어로 공개된 샌디브릿지-E 프로세서 코어가 435mm^2로 아이비브릿지-E 6코어 프로세서의 코어 면적은 이와 비교해 약 76%의 크기다. 기존에 공개된 인텔의 프로세서의 코어 면적, 면적 대비 TDP는 아래와 같다.
아이비브릿지-E : 260mm^2, 150W 이내, 0.5W 이상/mm^2
샌디브릿지-E : 435mm^2, 130/150W, 0.299/ 0.345W/mm^2
샌디브릿지 (Sandy Bridge) : 216mm^2, 95W, 0.440W/mm^2
아이비브릿지 (Ivy Bridge) : 160mm^2, 77W, 0.481W/mm^2
하스웰 (Haswell, GT2) : 177mm^2, 84W, 0.47W/mm^2
아이비브릿지-E는 TDP 스펙이 130W로 알려졌고 샌디브릿지-E 최상위 150W 보다 낮을 것으로 알려졌다. 22nm 공정 적용에 따라 면적 대비 TDP가 다른 CPU보다 유리할 것이라고 전했다.
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