현재 대표적인 비휘발성 메모리로 사용되고 있는 2D 기반 낸드 플래시는 공정 미세화에 따라 주변 셀간의 누설 전류로 인한 간섭 문제와 수명 문제로 한계가 가까워졌다는 것이 중론이다.
이런 와중에 이를 극복하기 위해 얼마전 삼성전자가 128Gbit 용량의 3D 낸드 플래시 양산 발표를 비롯해 낸드 플래시를 대체할 비 휘발성 메모리가 개발되고 있는데, 소니에서 ReRAM(Resistive RAM)의 상용화 일정 계획을 발표했다.
소니는 최근 개최된 FMS(Flash Memory Summit) 2013에서 마이크론과 공동으로 DRAM과 낸드 플래시 메모리의 사이를 메꿔줄 스토리지 급 메모리(SMC, storage-class memory)를 목표로 ReRAM을 개발하고 있다고 전했다.
ReRAM 용량 확대를 위해 소니는 크로스 포인트 셀 구조와 20nm급을 기준으로 향상된 프로세스 기술을 적용할 예정으로, 2014년에 16Gbit 급의 ReRAM 상용화를 목표로 현재 테스트 칩의 디자인을 시작한 것으로 알려졌다.
한편, 스마트폰이나 태블릿과 같은 일반 소비자용으로의 사용은 물론 낸드 플래시 기반 대용량 엔터프라이즈 급 스토리지에 사용되는 DRAM을 일부 대체할 수 있을 것이라고 강조했다.
|
