인텔은 최근 하이엔드에 아이비브릿지-E (Ivy Bridge-E)를 출시해 기존 샌디브릿지-E (Sandy Bridge-E)를 대체하고 있는 가운데 IDF 2013을 통해 아이비브릿지-E 후속 플랫폼을 공개했다는 소식이다.
아이비브릿지-E는 2년 여만에 하이엔드 제품군을 세대 교체하고 있으며 이 플랫폼은 하스웰 (Haswell) 아키텍처 기반의 하스웰-E (Haswell-E) 플랫폼으로 전환될 것으로 알려진 가운데 vr-zone은 DDR4를 지원하는 인텔 하스웰-E 레퍼런스 플랫폼이 IDF 2013에 전시되었다고 전했다.
전시한 하스웰-E 레퍼런스 플랫폼은 하스웰-E CPU 정보나 기타 자세한 시스템 구성에 대해서는 알려져 있지 않으며 DDR4 메모리는 마이크론 (Micron)이 만든 모듈로 알려졌다.
인텔은 DDR4 메모리를 지원하는 플랫폼으로 데스크탑은 하스웰-E, 서버는 하스웰-EP (Haswell-EP)를 개발 중이며 DDR4 메모리 컨트롤러를 탑재해 현재의 하이엔드 플랫폼이 사용하는 LGA2011 소켓이 아닌 새로운 LGA2011-13소켓을 탑재해 기존 프로세서는 지원하지 않을 것으로 예상했다.
DDR4 메모리는 1.2V로 기존 1.65/ 1.5V의 DDR3 메모리보다 낮은 전압을 통해 전력 소모를 줄이며 288핀 DIMM 커넥터로 기존 DDR3 메모리는 장착하지 못한다. 하스웰-E는 DDR4-2133MHz 기본에 2667MHz 이상의 클럭도 오버클럭으로 지원한다.
그래픽카드 지원은 PCIe 3.0 40 Lane 지원으로 PCIe 3.0 x16 2개, 3개의 PCIe 3.0 구성으로 멀티 GPU 지원이 가능하며 Wellsburg X99 칩셋과 조합한다. SSE4, AVX, VT, AES-NI 명령어를 내장하며 기존 하이엔드와 같이 내장 그래픽은 제외한다.
2세대 22nm Hi-K 공정 기술을 이용하는 하스웰-E는 기존의 6코어 구성보다 확장한 8코어 구성을 지원하며 L3 캐쉬도 20MB로 기존 15MB보다 증가한다. 하스웰 아키텍처를 따라 VRM (FIVR)을 CPU 내부에 탑재하며 TDP 스펙은 130-140W 사이로 기존 코어 대비 10-20W 늘어난 TDP 스펙, IPC (클럭 당 명렁어 처리 성능)도 55% 향상할 것으로 알려졌다.
하스웰-E는 배수 조절과 터보 제한 해제, 코어 배율 80/100, IVR 전압, XMP 모드, 메모리 컨트롤러와 전압 제한 해제, 네이티브 2667MHz 메모리 클럭, PCH와 PLL 전압 컨트롤 해제 등을 지원해 오버클럭도 보다 향상한다.
인텔은 하스웰-E와 스카이레이크 (Skylake) 플랫폼을 2014년에서 2015년 사이 출시할 계획으로 알려졌다.
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