TSMC´Â ¿ÃÇØ 3ºÐ±â ½ÇÀûÀÌ Áõ°¡ÇßÀ¸¸ç ¿©±â¿¡´Â °í°´µé¿¡°Ô Á¦°øÇÑ ÃֽŠÁ¦Á¶ °øÁ¤ ±â¼úÀÌ ±â¿©ÇÑ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
xbitlabs´Â TSMCÀÇ ½ÇÀû º¸°í¼¸¦ ÀοëÇØ 2013³â 3ºÐ±â ½ÇÀûÀº Áõ°¡Çß°í ¿©±â¿¡´Â 28nm Á¦Á¶ °øÁ¤ÀÌ »ó´ç¼ö ÀÛ¿ëÇß´Ù°í ÀüÇß´Ù.
TSMC´Â 5ºÐ±â ¿¬¼Ó ¼ºÀå¼¼¿¡ ÀÖÀ¸³ª ¿ÃÇØ 3ºÐ±â Ä¿¹Â´ÏÄÉÀÌ¼Ç ºÐ¾ß´Â °í°´µéÀÇ Àç°í °ü¸®·Î Á¶Á¤À¸·Î ÀÎÇÑ 3% °¨¼Ò, ÄÄÇ»ÅÍ ºÐ¾ß´Â 18%°¡ °¨¼ÒÇß´Ù. 3ºÐ±â °¡Àå °·ÂÇÑ ¼ºÀå¼¼´Â °ÔÀÓ ÄÜ¼Ö ºÐ¾ß¿´´Ù°í ÀüÇß´Ù. 2ºÐ±â ¼öÀÍÀº 5% Áõ°¡¿¡ ±×ÃÆÀ¸³ª ±×·³¿¡µµ ºÒ±¸Çϰí 28nm ±â¹Ý Á¦Ç°Àº ¼ºÀå¼¼¿¡ ÀÖÀ¸¸ç 3ºÐ±â Àüü ¿þÀÌÆÛ ¼öÀÍÀÇ 32%¸¦ Â÷ÁöÇß´Ù°í ¹àÇû´Ù. 2ºÐ±â¿¡´Â ÃÖ´ë 29%¸¦ Â÷ÁöÇß´Ù. 40nm °øÁ¤°ú ÇÕÇØ Áøº¸µÈ °øÁ¤ ±â¼úÀº Àüü ¿þÀÌÆÛ ¼öÀÍÀÇ 52%¸¦ Â÷ÁöÇϰí ÀÖ´Ù°í TSMC´Â ¹àÇû´Ù.
TSMC´Â 28nm °øÁ¤ ±â¼ú ±â¹ÝÀÇ ÆÄ¿îµå¸® ½ÃÀåÀ» ¾à 84%¸¦ ÄÁÆ®·ÑÇϰí ÀÖÀ¸¸ç ÀÌ´Â 40/ 45nm, 65nm¿Í 90nm °øÁ¤ ´ëºñ 3ºÐ±â ´õ ³ôÀº »óȲÀÌ´Ù. TSMCÀÇ 28nm SiON ¹öÀüÀÇ ½ÃÀå Á¡À¯À²Àº ¿ÃÇØ ¾à 75%, 28nm High-K ¸ÞÅ» °ÔÀÌÆ® Á¦Á¶ ±â¼úÀÇ ½ÃÀå Á¡À¯À²Àº 90% ÀÌ»óÀÏ °ÍÀ̶ó°í ¹àÇû´Ù.

Àüü »ý»ê·®µµ Áõ°¡ Ãß¼¼À̸ç 2013³â 3ºÐ±â 200mm±Þ ¿þÀÌÆÛ¸¦ ¾à 4õ 258¸¸ ÀåÀ¸·Î ´Ã·Á Àüü »ý»ê·®À» 6.5% Áõ°¡, 2013³â 4ºÐ±â¿¡µµ ´Ù½Ã ¾à°£ Áõ´ëÇÒ °èȹÀÎ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù. ¿ÃÇØ Àüü TSMC´Â 300mm »ý»ê·®À» 17% Áõ°¡ÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇϰí ÀÖÀ¸¸ç 200mm±Þ ¿þÀÌÆÛ´Â 1õ 6¹é 4½Ê¸¸ ÀåÀ¸·Î 11% ´Ã¸± °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
2013³â 9¿ù 30ÀÏ ³¡³ 3ºÐ±â ½ÇÀû¿¡¼ 55¾ï 3õ 3¹é¸¸ ´Þ·¯ÀÇ Àüü ¼öÀÍ, ¼øÀÌÀÍ 17¾ï 6õ 8¹é¸¸ ´Þ·¯¸¦ ´Þ¼ºÇÑ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù. ¸Å»ó ÃÑÀÌÀÍÀº 48.5%, ¿î¿µ ¼öÀÍÀº 36.7%, ¼øÀÌÀÍÀº 32%°¡ Áõ°¡Çß´Ù. TSMC´Â 2013³â 4ºÐ±â 49¾ï 1õ¸¸ ´Þ·¯¿Í 50¾ï ´Þ·¯ »çÀÌÀÇ ¼öÀÍÀ» ¿¹»óÇßÀ¸¸ç ¸Å»ó ÃÑÀÌÀÍÀº 44%¿¡¼ 46% »çÀÌ, ¿µ¾÷ ÀÌÀÍÀº 32%¿¡¼ 34% »çÀÌÀÇ Áõ°¡¸¦ ¿¹ÃøÇß´Ù.
TSMC´Â ÀÚ»çÀÇ 28nm ¼Ö·ç¼ÇÀÇ °æÀï·ÂÀÌ °æÀï»çº¸´Ù À¯¸®ÇÑ »óȲÀ̶ó°í ¹àÇûÀ¸¸ç ¾ÕÀ¸·Îµµ °í°´À» À§ÇÑ ±â¼ú °³¹ß°ú °øÁ¤ °³¹ß¿¡ Àû±ØÀûÀ¸·Î ÀÓÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
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