차세대 메모리로 1TB/s의 대역폭을 구현 가능할 것으로 알려진 HBM DRAM의 등장 시기가 가까워지고 있다는 소식이다.
소식을 전한 pc watch는 고성능 구현이 가능한 차세대 메모리 HBM DRAM이 카운트 다운에 들어갔다고 언급하며 출시가 머지 않았다고 전했다.
현재 HBM DRAM은 이미 JEDEC의 표준화 작업에 들어갔으며 이를 제조할 것으로 알려진 SK하이닉스 (SK Hynix)는 샘플링 시작, 2014년 하반기 대량 생산, 그리고 2015년 이를 기반으로 하는 첫 제품이 선보일 것으로 전망했다.
HBM은 TSV (Through Silicon Via) 기술을 이용하는데 이 기술은 다이에 메모리를 적층하는 스택 (Stack) 방식을 이용한다. 이를 이용하면 CPU나 GPU에 직접 DRAM을 적층할 수 있게 되며 메모리 대역폭을 512GB/s에서 1TB/s 사이로 크게 확장할 수 있다.
HBM은 적은 전력을 소모하면서 기존 메모리 대비 높은 효율성을 제공해 현재 GPU에 사용되는 GDDR5 메모리를 대체할 것으로 예상되고 있으며 고성능 컴퓨팅을 위한 HPC 분야, 서버 CPU, 네트웍 프로세서 관련 메모리 등에도 이용할 수 있다.
한편 GPU 성능 향상과 함께 성능 요구가 크게 증가되면서 GPU의 대역폭 확보도 필요해지는데 HBM은 이에 대한 대안이 될 수 있을 것으로 예상되고 있으며 AMD와 엔비디아 (NVIDIA)도 차세대 GPU에 HBM이나 스택 DRAM을 이용할 예정이다. 특히 엔비디아는 차세대 파스칼 (Pascal)에서 3D 스택 메모리 (3D Stacked Memory)를 통해 1TB/s의 높은 메모리 대역폭을 이용 가능할 것으로 알려진 바 있다.
|
[영상] DDR5·HBM 메모리 폭등의 유일한 해결법 반도체 증설 현황 총정리, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 [메모리 가격 폭등 7부 
