10nm 공정에 중요한 기술로 알려진 EUV 리소그래피 기술이 2016년부터 적용될 것으로 보인다는 소식이다.
소식을 전한 expreview는 10nm 공정 반도체 기술에는 새로운 세대의 EUV 리소그래피 (Lithography) 장비가 더 중요해질 것으로 알려진 가운데 ASML은 최근 3분기 실적을 발표하면서 10nm 공정 EUV 리소그래피를 2016년부터 적용할 계획을 소개했으며 첫 고객은 인텔로 예상했다고 전했다.
인텔은 올해 14nm 공정 양산에 들어갈 예정이며 차세대 공정 기술인 10nm 개발 중에 있는 것으로 알려졌다. 2015년 말에는 10nm 공정을 이용한 생산을 시작할 계획으로 알려졌다.
ASML은 10nm 공정의 차세대 EUV 리소그래피 장비를 공급할 것으로 알려져 ASML의 공급 시기에 따라 차기 10nm 공정 적용 시기도 예상할 수 있는데 이번 공급 계획 발표에 따르면 2016년부터 적용할 것으로 소개함에 따라 인텔의 10nm 공정 도입도 이 시기에 맞춰질 것으로 예상된다.
특히 인텔은 ASML의 주요 고객이자 대주주로 2012년 41억 달러를 투자하는 등 미세공정 기술 도입에 적극적인 만큼 ASML의 EUV 리소그래피 장비를 도입하는 첫 고객사가 되는 것은 놀라운일은 아닐 것이라고 전했다.
그러나 EUV 리소그래피 기술은 수년 동안 연기가 이루어진 전례가 있는 만큼 2016년 정상적인 도입이 될 것인지는 더 지켜볼 필요가 있으며 늦어질 경우 10nm 공정이나 더 미세한 7nm 공정 등의 도입은 연기될 가능성도 있어 보인다.
한편 ASML은 세계에서 가장 큰 반도체 장비 제조 회사로 EUV 리소그래피 장비인 NXE 3100을 테스트 중이며 NXE 3300B를 양산에 적용하고 있다. NXE 3300B 전체 주문량 11개 중 3개는 지난해 말, 5개는 출하 또는 출하 예정이며 나머지 3개는 2015년 업그레이드된 NXE 3350B 모델을 제공할 예정으로 알려졌다.
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