인텔은 올해 8월 14nm 공정 기반의 브로드웰 (Broadwell) 아키텍처 코어 M 프로세서를 발표한 가운데 현미경으로 들여다본 코어 M 프로세서 내부 사진이 공개됐다.
소식을 전한 expreivew는 chipworks를 인용해 이 사이트가 공개한 현미경으로 본 코어 M 프로세서 내부의 사진을 공개했다.
그에 따르면 인텔은 10개의 게이트웨이를 이용하며 길이는 699nm, 평균 69.9nm로 인텔이 공식적으로 밝히고 있는 70nm 게이트 피치와 일치한다. 트랜지스터의 fins은 20, 전체 843nm, 평균 42nm 피치 (Pitch)로 이 부분 역시 인텔이 제시한 자료와 일치하고 있다고 전했다.
횡단면은 65nm부터 도입한 금속층이 있고 이는 13층으로 구성, 주변에는 금속층과 절연층이 없으나 12층으로 구성, 22nm 공정은 9층이었고 베이트레일 (Bay Trail)은 11층, IBM 22nm Power 8 프로세서는 12 층으로 구성된다. 인텔은 내부 인터커넥트 피치를 52nm로 밝혔으나 이보다 약간 늘어난 54nm라고 밝혔다.
또한 인텔 14nm 트랜지스터는 22nm 공정 대비 Fin을 줄이면서 향상했으며 22nm 메탈 게이트와 유사, 텅스텐 게이트를 이용하며 4세대 메탈 게이트 프로세스는 업그레이드 되었고 전했다.
한편 코어 M 프로세서의 내부 현미경 사진을 공개한 chipworks는 조만간 보다 자세한 분석 결과를 공개할 것이라고 전했다.
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