SK하이닉스 (SK Hynix)가 그래픽카드의 대여폭을 크게 향상할 것으로 알려진 3D 스택 (Stack) 구조의 HBM (High Bandwidth Memory)의 출시를 준비 중인 것으로 알려졌다.
소식을 전한 expreview는 SK하이닉스가 7GHz 클럭까지 등장한 GDDR5 메모리의 클럭을 추가로 향상한 8GHz GDDR5 메모리를 발표했으며 스택 구조를 통해 기존 GDDR5 메모리보다 높은 대역폭을 확보 가능한 HBM 메모리를 출하가 시작되었다고 전했다.
현재 GDDR5 메모리는 7GHz의 고클럭이 적용되고 있으며 엔비디아 (NVIDIA) 하이엔드 384bit 메모리 인터페이스 기반 지포스 GTX 780 Ti가 대표적으로 7GHz의 메모리 클럭을 적용했고 삼성 또는 SK하이닉스 GDDR5 메모리를 이용하고 있다. 반면 AMD는 512bit 도입으로 라데온 R9 290 시리즈는 5000 (1250)MHz에 머물고 있으며 메인스트림 제품군에서는 6500 (1625)MHz 정도를 적용하는 등 엔비디아 보다는 약간 낮은 메모리 클럭이 이용된다.
7GHz GDDR5 메모리와 384bit 버스를 조합하면 336GB/s의 대역폭 확보가 가능한데 SK하이닉스는 올해 4분기 8GHz GDDR5를 출시할 것으로 알려져 점점 많은 대역폭이 필요해진 고성능 GPU에 대응할 예정이다. 8GHz GDDR5는 H5GQ4H24AJR-R4C 칩, 128Mb x 32bit, 싱글 4Gb, FBGA 패키지로 4GB 용량, 7GHz GDDR5가 1.5V로 동작하는데 반해 8GHz는 1.55V로 동작 전압도 약간 상승된다.
또한 HBM 메모리도 개발 중인 것으로 알려진 바 있는데 GDDR5를 대체해 고대역을 제공할 예정이다. AMD와 SK하이닉스는 개발에 협력해온 것으로 알려졌고 차세대 Carrizo APU나 Pirate Island GPU에 스택 구조의 HBM 메모리가 탑재될 것이라는 소식도 전해졌으나 아직 구체적으로 알려진 것은 없다. 다만 HBM을 적용하면 GDDR5 메모리보다 높은 대역폭 확보가 가능해지며 엔비디아도 2016년 등장 예정인 차세대 파스칼 (Pascal)에서 3D 스택 메모리 탑재가 알려진 바 있다.
SK하이닉스의 1세대 HBM 메모리는 4Hi 스택 구조로 1.2V 동작, 1Gb 용량 (1GB), 1Gbps 전송속도와 128Gb/s의 스펙을 제공한다. 2세대는 4/ 8 Hi 스택 구조로 4/ 8GB 확장, 속도와 대역폭도 2Gbps와 256GB/s로 향상될 예정이다. 1세대 스택 4개 구조로 512GB/s 대역폭과 4GB 용량 구성이 가능하며 이론상으로 2세대는 1TB/s의 대역폭도 구현 가능해진다.
한편 HBM 메모리는 GDDR5 대비 성능은 65% 이상, 전력 소모는 40% 감소, SK하이닉스는 샘플링을 시작해 HBM을 2014년 하반기 대량 생산할 계획으로 알려졌으며 2015년에는 HBM 기반의 첫 제품이 등장할 것으로 예상된다.
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