삼성전자가 20nm 공정의 '8기가비트(Gb) LPDDR4' 모바일 D램 양산에 들어갔다.
삼성전자는 23일 보도자료를 통해 세계 최초로 20나노 공정을 적용한 차세대 8Gb LPDDR4 모바일 D램을 양산하며 4기가바이트(GB) 모바일 D램 시대를 열었다고 밝혔다.
20nm 8Gb LPDDR4 모바일 D램은 1GB(8Gb) 칩 4개로 모바일 D램 최대 용량인 4GB를 구성할 수 있는 제품으로 기존 LPDDR3 제품보다 2배 빠르게 데이터를 처리하면서도 소비전력을 최대 40% 절감할 수 있다.
삼성전자 측은 내년 1월 미국 라스베이거스에서 열리는 CES 2015에서 4GB LPDDR4 모바일 D램으로 혁신상을 수상하며, 메모리 업계에서는 유일하게 모바일 D램으로 3년 연속 혁신성을 수상함으로써 차별화된 기술 경쟁력을 인정받았다고 설명했다.
8Gb LPDDR4는 삼성전자가 독자 개발한 VSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술로 일반 PC D램(1,600Mb/s) 보다 2배 빠른 3,200Mb/s로 데이터를 처리해 UHD급의 동영상과 2천만화소 이상의 초고화질 사진을 연속으로 촬영할 수 있다.
삼성전자는 지난 9월 20나노 6기가비트 LPDDR3 모바일 D램을 양산한지 3개월 만에 8기가비트 LPDDR4를 내놓으며 글로벌 모바일 고객들에게 한 차원 높은 '초고속', '초절전', '고용량' 솔루션을 제공할 수 있게 되었다고 밝혔다.
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 “8기가비트 모바일 D램 양산으로 고객들이 차세대 플래그십 모바일 기기를 적기에 출시하는 데 크게 기여하게 되었다”며, “향후 글로벌 고객들과 기술 협력을 강화해 새로운 OS 환경에 최적화된 D램 솔루션을 한 발 앞서 제공할 것”이라고 강조했다.
한편, 삼성전자는 금년에 글로벌 모바일기기 제조업체들의 하이엔드 제품 출시에 맞춰 2GB, 3GB LPDDR4 D램을 동시에 공급하고, 내년에는 4기가바이트 LPDDR4 D램을 본격 공급해 업계 최대의 라인업을 더욱 확대할 예정이다.
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