SK하이닉스가 2015년 하반기 초기에 20nm 공정 기반 DRAM의 양산을 시작할 계획이라는 소식이 전해졌다.
kitguru에 따르면 이는 주주총회 직후 기자들 질문에 SK하이닉스 박성욱 사장이 답하면서 공개된 것으로, 300mm 웨이퍼 기준 20nm 공정 도입시 기존 25nm 대비 약 30%, 29nm 대비 50% 가량의 생산량 증가 효과를 기대할 수 있는 것으로 알려졌다.
박 사장은 또한 20nm 양산을 비롯해 TLC 기반 낸드플래시와 같이 소자 경쟁력 강화 및 솔루션 역량을 보강해 시장에서 확실한 입지를 굳히겠다는 포부를 밝혔다.
한편, SK하이닉스의 경쟁사인 삼성전자의 경우 지난 2014년 4분기에 이미 20nm 공정 기반 DRAM 양산을 시작, 올 하반기에는 전체 메모리 생산량의 절반 가량에 20nm 공정이 도입될 것으로 예상되고 있으며, 마이크론은 2014년 4분기에 20nm 공정의 시험 생산을 개시한 바 있다.
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