도시바가 실리콘 관통전극 (TSV) 기술을 채용한 최대 16다이 적층 NAND플레시 메모리를 세게 최초로 개발했다고 표했다.
도시바의 16다이 적층 NAND 플레시는 이전의 적층 NAND 플레시의 와이어 본딩 방식에서 벗어나 TSV 기술을 이용해 수직 전극과 비아(via)를 사용해서 실리콘 다이를 관통하여 플레시 메모리를 서로 연결시킨 방식으로 데이터 입 출력 속도가 빨라지며 소비 전력이 줄어든다.
도시바의 TSV기술은 다른 NAND플래시 메모리 보다 저전압을 사용하면서 데이터 입출력(I/O) 속도가 더 빠른 1Gbps이상 된다: 즉, 코어 회로 전압이1.8V, I/O회로 전압은 1.2V이며 쓰기 및 읽기 작동과 데이터 I/O전송에 소비하는 전력이 자사의 이전 제품과 비교해서 약50%정도 감소된다.
도시바의 16다이 적층 NAND 플레시 메모리는 미국 산타클라라에서 8월 11~13일 열리는 2015 플레시 메모리 서밋 (Flash Memory Summit) 에서 공개 할 예정이다.
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