도시바(Toshiba)에서 차세대 SST-MRAM을 이용한 4Mb 클래스 비휘발성 메모리 회로 개발을 발표했다.
도시바는 보도자료를 통해 고성능 프로세서와 SoC(System on Chip)를 위한 65nm 실리콘 트랜지스터에 혼재된 4Mb 클래스의 SST-MRAM 새로운 비휘발성 메모리 회로를 개발했다고 밝혔다.
이번에 개발된 메모리 회로는 3.3ns 액세스 타임으로 캐시 메모리에 충분한 빠른 성능을 갖추면서도 전통적인 SRAM과 비교해 소비전력은 1/10 미만으로 낮춘 초저전력 동작이 가능한 것으로 알려졌다.
도시바는 최근 사물인터넷(IoT), 웨어러블부터 스마트폰, 데스크탑 PC에 이어 데이터 센터 서버까지 다양한 용도로 칩 시장이 확대되면서 고성능 및 저전력화 요구가 높아지고 있는데, 내부에 있는 휘발성 메모리(SRAM) 용량 증가와 함께 메모리 부분의 전력 절감을 위해 빠르고 저전력 동작이 가능한 비휘발성 메모리 개발을 계속해왔다.
그러나 비휘발성 메모리는 SRAM에 비해 메모리를 쓸 때의 전력과 메모리 제어 회로부(주변 회로)에서 소모하는 전력이 크다는 단점이 있어 캐시 메모리로 사용할 정도로 저전력 구현은 어려웠다.
도시바는 이 같은 문제를 해결하기 위해 하위 100ns로 고속 전력 차단/복구 동작이 가능한 회로를 개발하고 메모리 작동 상태에 따라 필요한 부분 이외의 빠른 전원 차단이 가능하도록 했으며, 효율적인 전원 차단을 위해 메모리 액세스 패턴을 모니터해 다음 액세스 패턴을 높은 확률로 예측하는 알고리즘을 개발해 내장시킴으로써 기존 SRAM 대비 전력 소모량을 1/10까지 줄일 수 있었다고 설명했다.
이번에 개발된 메모리 기술은 도쿄대학 나카무라 히로시 교수 그룹과 공동으로 개발한 것으로 2월 2일 미국 샌프란시스코에서 개최되는 국제고체회로소자회의(ISSCC)에서 발표될 예정이다.
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