2016년 8월 10일 - 반도체 장비 업계를 선도하고 있는 램리서치가 ‘ALTUS®’ 제품 군의 최신 버전으로서 불소 함량이 낮은 텅스텐 필름 증착을 위한 원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 공정을 선보였다. 최신 ‘ALTUS Max E 시리즈’ 는 업계 최초 저 불소 텅스텐(Low-Fluorine Tungsten, LFW) 원자층증착(ALD) 공정으로서 메모리 칩 메이커들의 핵심 과제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 3D NAND와 DRAM 디바이스의 지속적인 확장을 가능하게 한다.
이 새로운 시스템은 메모리 애플리케이션 시장을 이끌고 있는 램리서치의 제품 포트폴리오를 기반으로 글로벌 시장을 견인하고 있다. 뿐만 아니라 선도적인 3D NAND와 DRAM 제조업체에서 높은 생산 포지셔닝을 가지고, 다수의 R&D 현장에서 사용되고 있다.
LFW ALD 기술을 겸비한 ‘ALTUS Max E 시리즈’는 램리서치의 PNL®(Pulsed Nucleation Layer) 기술을 이용하는 고유의 ALD 증착 공정을 제공한다. 이는 텅스텐 ALD 기술에 있어 지난 15년간 1,000개 이상의 모듈을 생산하며 쌓아온 리더십이자 산업 표준이다. 램리서치는 PNL 기술로 화학적 증기 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 텅스텐이 ALD 텅스텐으로 변환할 수 있도록 이끌었다. 더불어 주입 성능 향상을 위해 ‘ALTUS® Max with PNLxT™’, ‘ALTUS® Max with LRWxT™’ 및 ‘ALTUS® Max ExtremeFill™’과 함께 낮은 저항력을 가진 텅스텐 솔루션을 개발하며 리더십을 지켜왔다.
ALTUS 제품은 램리서치의 쿼드-스테이션 모듈(Quad-Station Module, QSM) 아키텍처를 사용한다. 이는 스테이션 온도가 독립적으로 설정될 수 있기 때문에, 주입 성능을 손상시키지 않고 각 스테이션에 텅스텐 핵 생성과 불소, 스트레스, 저항의 주입을 최적화하기 위함이다. 또한 QSM 구성은 시스템 당 12개의 받침대 및 업계 최고 공간 생산성을 제공함으로써 모든 ALD 공정의 생산성을 최대화 한다.
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[뉴스] 램리서치, ALTUS® Halo로 몰리브덴 기반 원자층 증착 (ALD) 반도체 금속 배선 공정의 새 시대를 열다 
