퀄컴(Qualcomm)이 차세대 모바일 프로세서 스냅드래곤 835를 공식 발표했다.
퀄컴은 17일(현지시간) 보도자료를 통해 삼성전자 10나노(nm) 공정으로 새로운 프리미엄급 스냅드래곤 835 프로세서를 출시한다고 밝혔다. 또한 더 빠른 고속 충전을 지원하는 퀵차지(Quick Charge) 4.0 기술도 발표했다.
퀄컴-삼성전자 10nm 공정 협력 확대
퀄컴과 삼성전자는 양사의 전략적 파운드리 협력 관계를 10nm로 확대하며 차세대 모바일 프로세서 스냅드래곤 835를 삼성전자 10nm FinFET 공정을 적용해 모바일 AP .시장 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이라고 밝혔다.
스냅드래곤 835에 적용되는 10nm FinFET 1세대 공정(10LPE)은 삼성전자가 지난 10월 업계 최초로 양산에 들어갔다. 삼성전자 측은 10nm 공정 양산을 위해서는 14nm 공정보다 훨씬 정교하고 미세한 회로를 그려넣는 패터닝 작업이 필요한데, 기존 장비를 활용해 패터닝 과정을 3번 반복하는 트리플 패터닝 기술로 미세 공정의 한계를 극복하고 설계 유연성을 확보했다고 밝힌 바 있다.
삼성전자의 10 LPE 공정은 어드밴스드 3D 트랜지스터 구조를 채택해 기존 14nm 1세대 공정 대비 성능은 27% 개선하고, 소비전력은 40% 절감했으며, 면적효율도 약 30% 향상시키면서 웨이퍼당 칩 생산량도 그만큼 증가했다.
칩 면적이 줄어들면서 스냅드래곤 835는 고객사들이 제품을 설계할 때 공간활용도를 높여, 더 큰 배터리를 채용하거나 슬림한 디자인을 구현할 수 있다. 또한 향상된 칩 설계와 개선된 공정 기술로 배터리 수명을 향상시킬 것으로 기대되고 있다.
퀄컴은 스냅드래곤 835의 구체적인 하드웨어 스펙에 대해 공개하지 않았지만 기존 스냅드래곤 820/821과 마찬가지로 퀄컴이 만든 Kyro CPU를 사용하는 것으로 알려졌으며, ARM big.LITTLE 구조처럼 옥타코어(4+4)가 들어갈 것이라는 예상이 나오고 있다.
스냅드래곤 835 프로세서는 현재 삼성전자에서 양산 중이며 2017년 상반기에 이를 탑재한 제품이 출시될 예정이다.
스냅드래곤 835 지원 퀵차지 4.0 발표
퀄컴은 스냅드래곤 835 발표와 함께 이를 지원하는 새로운 고속 충전 기술 퀵차지 4.0도 발표했다. 퀵차지 4.0은 기존 세대보다 빠른 충전 시간과 높은 효율을 제공함으로써 우수한 충전 솔루션을 제공하도록 설계됐다.
퀵차지 4.0은 일반 프리미엄 스마트폰 사용자의 경우 5분 충전으로 5시간 이상 스마트폰 사용이 가능하도록 설계됐다. 퀄컴의 병렬 충전 기술인 '듀얼 충전(Dual Charge)'을 사용해 기존 퀵차지 3.0에 비해 최대 20% 빠른 충전 및 최대 30% 높은 효율을 누릴 수 있다. 또한 퀵차지 4.0은 업계에서 가장 널리 사용되는 배터리 충전 솔루션인 USB Type-C 및 USB-PD(Power Delivery)를 지원하므로 다양한 케이블 및 어댑터에서 사용할 수 있다.
퀵차지 4.0에는 퀄컴이 만든 전원 관리 알고리즘 INOV(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage)가 들어가 열 상태에 따른 최적의 전력 전달 레벨을 자동으로 선택하는 실시간 열 관리 충전 최적화를 업계 최초로 지원한다.
퀄컴은 퀵차지 4.0을 지원하기 위한 새로운 전력 관리 IC칩(PMIC)인 SMB1380 및 SMB1381을 출시한다. 새로운 PMIC는 낮은 저항, 최대 95% 피크 효율, 그리고 배터리 자동 감지를 지원하며 모든 5V USB Type-C 또는 고전압 전원에서 가장 빠른 배터리 충전을 제공하고록 설계됐다. 칩셋 두께도 0.8mm에 불과해 초슬림 모바일 기기 설계에도 영향을 주지 않는다. SMB1380/1381은 올해 말에 출시될 예정이다.
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