삼성전자가 차세대 모바일 기기를 위한 새로운 MRAM 메모리를 다음달 선보일 거라는 소식이 올라왔다.
Patently Apple에 따르면 지난 2016년 7월 IBM과 삼성전자가 낸드 플래시보다 최대 10만배 빠른 비휘발성 RAM을 제조하는 새로운 방법을 개발했다고 발표했는데, MRAM (Magnetoresistive RAM)으로 불리는 스핀 전달 토크(STT) 기술을 사용하는 이 제품을 5월 24일 미국에서 개최되는 삼성 파운드리 포럼 이벤트에서 상세히 소개할 거라고 한다.
차세대 메모리 유력 제품군의 하나인 STT-MRAM은 정보를 저장할 때 매우 낮은 전력을 사용하고, D램과 달리 비휘발성 메모리여서 동작하지 않을 때는 전원 공급이 필요 없다. 따라서 현재 배터리 연결 방식 임베디드 D램이나 낸드 플래시를 대신해 모바일 장치, 웨어러블, IoT 기기에 들어가는 저용량 메모리 칩을 만드는데 유용할 것으로 보인다.
또한 삼성전자의 LSI 사업부에서 현재 MRAM을 내장한 SoC(System on Chip) 프로토타입을 개발했으며 이 또한 다음 달 열리는 행사에서 발표될 것이라고 한다.
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