소니(Sony Semiconductor Solutions Corp)에서 약 100Gb(12.5GB)에 달하는 크로스 포인트 타입 ReRAM 개발을 발표했다.
ReRAM은 자극에 따라 저항(Resistance)값이 변하는 성질을 이용한 비휘발성 메모리로, VLSI 2017 심포지엄서 발표된 소니의 새로운 ReRAM은 구리 이온화에 기반을 두고 있으며, 셀렉터와 저항자가 각각 1개인 1S1R 구조를 취한다.
소니의 발표 내용에 따르면 새로운 ReRAM은 쓰기 속도 100ns, 1000만번의 회전 수명(cycling capability)을 제공하며, 20nm 2k x 2k 크로스 포인트형 메모리 어레이의 2개층을 기반으로 100Gb 용량 구현이 가능해 스토리지 클래스 메모리(SCM)으로의 역할을 기대하고 있다..
한편, 소니는 새로운 ReRAM이 현재의 DRAM과 낸드 사이의 성능 차이를 보완해줄 수 있을 것으로 기대했는데, 이는 인텔이 얼마전 상용화를 시작한 3D 크로스포인트 기술 기반 옵테인 메모리의 포지션으로 내세우고 있는 부분이다.
상용화와 관련된 내용은 언급되지 않았지만, 포지션이 겹치는 만큼 향후 이들간의 경쟁이 예상된다.
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