3세대 라이젠의 메모리 클럭 지원이 최대 DDR4 5000MHz에 달할 것이란 추정이 나왔다.
라이젠용 DRAM 계산기를 개발한 Yuri "1usmus" Bubliy에 따르면 3세대 라이젠은 메모리 컨트롤러가 포함된 I/O 다이가 CPU 코어에서 분리되어 별도 패키징되면서 지원 메모리 클럭 상승이 가능해진 것으로 분석했다.
단지, 3세대 라이젠 역시 메모리 클럭과 연동되는 인터커넥트 기술이 쓰이게 되는데, DDR4 5000MHz 조건에서는 인피니티 패브릭의 동작 클럭을 뛰어넘기 때문에 AMD는 1/2 디바이더 모드를 더할 것이라고 전했다.
이 경우 메모리 클럭의 절반으로 동작하는 인피니트 패브릭 특성상 DDR4 5000MHz 시스템에서의 실제 IF 클럭은 1250MHz가 되는데, 이러한 구조 덕에 메모리 오버클럭에서는 유리하겠지만 최대 2개의 CPU 코어 모듈과 1개의 I/O 모듈이 결합된 3세대 라이젠의 구조상 성능에 어떤 영향을 미칠지는 보다 자세히 분석할 필요가 있다.
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