삼성전자가 '6세대(1xx단) 256Gb(기가비트) 3비트 V낸드'를 기반으로 한 '기업용 PC SSD'를 양산해 글로벌 PC 업체 공급을 시작했다고 밝혔다
삼성전자는 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정(1 Etching Step)으로 만들면서도 '속도·생산성·절전' 특성을 동시에 향상해 역대 최고의 제품 경쟁력을 확보했다고 평가했다. 삼성전자는 기업용 250GB SATA PC SSD 양산을 시작으로 글로벌 고객 수요 확대에 맞춰 올해 하반기 512Gb 3비트 V낸드 기반 SSD와 eFUS 등 다양한 용량과 규격의 제품을 계속 출시할 계획이다.
삼성전자의는 6세대 V낸드는 피라미드 모양으로 쌓은 3차원 CTF 셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 한 번에 균일하게 뚫는 공정 기술을 적용하였으며, 이와 같은 방식으로 9x단 이상 V낸드를 생산하는 곳은 현재 업계에서 삼성전자가 유일하다.
일반적으로 적층 단수가 높아질수록 층간의 절연상태를 균일하게 유지하기 어렵고 전자의 이동경로도 길어져 낸드의 동작 오류가 증가해 데이터 판독시간이 지연되는 문제가 발생하는데, 삼성전자는 이러한 기술 한계를 극복하기 위해 6세대 V낸드에 '초고속 설계 기술'을 적용했다.
이를 통해 3비트 V낸드 역대 최고속도(데이터 쓰기시간 450㎲ 이하, 읽기응답 대기시간 45㎲ 이하)를 달성했으며, 전 세대 보다 10% 이상 성능을 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄이고, 6세대 V낸드에서 6.7억개 미만의 채널 홀로 256Gb 용량을 구현함으로써 5세대 V낸드(9x단, 약9.3억개 채널 홀) 대비 공정 수와 칩 크기를 줄여 생산성도 20% 이상 향상시켰다.
특히 6세대 V낸드는 단일공정(1 Etching Step)을 적용해 세 번만 쌓아도 300단 이상의 초고적층 차세대 V낸드를 만들 수 있어 제품 개발 주기를 더 단축할 수 있으며, 삼성전자는 초고난도의 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술로 5세대 V낸드 보다 단수를 약1.4배나 높인 6세대 V낸드를 성공적으로 양산했다.
한편, 삼성전자는 2020년부터 평택 V낸드 전용 라인에서 성능을 더욱 높인 6세대 V낸드 기반 SSD 라인업을 본격적으로 확대할 예정이다.
|
[취재] 업계 최초 자동차용 3D 낸드 UFS 스토리지, WD iNAND AT EU312 발표 
