인텔 엘더 레이크를 통해 DDR5 메모리가 일반 데스크탑 시장에 진출한 가운데, 삼성전자에서는 DDR6와 그 이후 제품을 개발 중이라는 소식이 나왔다.
computerbase에 따르면, 삼성전자는 2021 테크 데이 이벤트를 통해 DDR6와 GDDR7 메모리에 대한 내용을 공개했다. 아직 DDR6 규격은 정해지지 않았지만 다른 DRAM 및 SoC 제조사들과 함께 규격 제정을 논의하고 있으며, 계획대로라면 2024년 경 확정될 것으로 기대된다.
DDR4에서 DDR5로의 변화를 감안할 때 DDR6는 최대 12800MHz를 계획하고 있으며, 오버클럭 모듈의 경우 최대 17000MHz도 고려하고 있다. 또한, DDR5는 모듈 당 듀얼 채널 구성이지만, DDR6에서는 이를 쿼드 채널, 메모리 뱅크의 수는 64개로 2배 늘린다는 계획이다.
한편, 일반 사용자의 경우 그래픽 카드에서 주로 접하게되는 GDDR6 메모리의 경우 현재 공정에서 18000MHz가 주력이지만, 1z nm 공정을 통해 최대 24000MHz까지 속도를 끌어올릴 계획이고, 향후 차세대 규격인 GDDR7에서는 실시간 에러 탐지 기술을 더하고, 속도는 32000MHz 달성을 목표로하고 있음을 전했다.
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