삼성전자가 업계 최선단 12nm급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 Zen 플랫폼에서 호환성 검증을 마쳤다고 밝혔다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다. 또 멀티레이어 EUV 기술을 활용해 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상시켰고, 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 처리가 가능한 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다.
삼성전자는 이번 12nm급 공정 모델의 소비전력이 이전 세대 제품보다 약 23% 개선되었다며, 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것이라고 자부심을 나타냈다. 삼성전자는 해당 제품을 2023년부터 양산, 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.
|
[뉴스] 애플 중국 내수용 제품에 CXMT와 YMTC 메모리 검토? 
