메모리 반도체 기업 키옥시아(Kioxia Corporation)와 스토리지 솔루션 기업 웨스턴디지털(Western Digital)은 양사의 최신 8세대 BiCS 플래시(BiCS FLASHTM) 3D 플래시 메모리 기술에 대한 세부 정보를 발표했다. 고도화된 미세화 및 웨이퍼 본딩 기술이 적용된 새로운 3D 플래시 메모리는 뛰어난 용량, 성능, 신뢰성을 절감된 비용으로 제공하며 현재 다양한 분야에서 폭증하는 데이터에 대응하기 위한 니즈에 특화됐다.
키옥시아와 웨스턴디지털은 독보적인 공정과 아키텍처를 도입하면서 비용 절감을 이뤄냈으며 이를 통해 측면 미세화에서의 지속적인 발전을 이어갔다. 이와 같은 수직 및 측면 미세화의 균형은 작은 크기의 다이(die)와 적은 수의 단으로도 한층 높은 용량을 최적화된 비용에 제공할 수 있게끔 지원한다. 또한 양사는 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 최적화된 환경에서 개별적으로 제조한 후 결합해 향상된 비트 밀도와 빠른 낸드 입출력(I/O) 속도를 제공하는 획기적인 CBA(CMOS Direct Bonded to Array) 기술을 개발했다.
218단 3D 플래시는 4개의 플레인(plane)으로 이뤄진 1Tb 트리플 레벨 셀(TLC)과 쿼드 레벨 셀(QLC)을 활용하며 비트 밀도를 50% 이상 향상시키는 혁신적인 측면 축소 기술을 특징으로 한다. 이전 세대 대비 60% 향상된 3.2Gb/s 이상 고속 낸드 입출력과 20% 향상된 쓰기 성능 및 읽기 지연 시간(read latency)이 결합돼 개선된 전반적인 성능과 사용 편의성을 제공한다.
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