키오시아가 9세대 BiCS FLASH 기술을 적용한 1Tb TLC 3D 낸드 플래시 메모리의 샘플 출하를 시작했다.
이번 제품은 고성능 스토리지가 필요한 AI PC와 스마트폰을 비롯해 중저용량 저장장치를 주요 대상으로 한다. 9세대 BiCS FLASH 1Tb TLC는 8세대 BiCS FLASH 기술을 기반으로 한 230단 적층 공정과 최신 CMOS 회로를 결합해 제작됐다. 낸드 인터페이스 속도는 최대 4.8Gbps로 8세대 제품보다 33% 향상됐으며 최근 공개된 10세대 BiCS FLASH와 동일한 수준이다.
키오시아는 메모리 셀과 주변 회로를 각각 별도의 웨이퍼에서 생산한 뒤 접합하는 CBA 기술을 적용했다. 메모리 셀과 CMOS 회로를 각자 최적화된 공정으로 제조할 수 있어 성능을 높이면서 생산 효율도 개선할 수 있다.
사용하지 않는 메모리 홀을 제거해 비트 라인을 줄이고 워드 라인의 정전용량을 낮추는 OPS 기술도 사용됐다. 이를 통해 적층 수를 크게 늘리지 않고도 낸드 플래시의 동작 속도와 전력 효율을 높이는 것이 가능하다.
키오시아는 낸드 플래시 개발을 9세대와 10세대 두 방향으로 나누는 듀얼 축 전략을 추진 중이다. 9세대 제품은 기존 메모리 셀 공정과 최신 CMOS 기술을 조합해 추가 설비 투자와 제조 비용을 억제하는 데 초점을 맞췄다.
반면 332단 적층 구조를 사용하는 10세대 BiCS FLASH는 대용량과 고성능이 필요한 데이터센터 및 AI 인프라 시장을 겨냥한다. 소비자용 PC와 스마트폰에는 상대적으로 비용 효율이 높은 9세대 제품을 공급하고, 고용량 기업용 제품에는 10세대 기술을 사용하는 방식이다.
다만, 구체적인 양산 일정과 이를 적용한 SSD 및 스마트폰 출시 계획은 아직 공개되지 않았다.
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