핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 오늘 저전압(100/150V) 및 고전압(650V) 애플리케이션을 위한 e-모드(강화 모드) 구성의 전력용 GaN FET 첫 시리즈를 출시했다. 넥스페리아는 7개의 새로운 e-모드 소자로 캐스코드 제품을 보강함으로써 설계자들에게 실리콘 기반 전력 전자 부품 포트폴리오와 함께 GaN FET를 최적으로 제공하는 유일한 단일 제조업체가 되었다.
넥스페리아가 이번에 출시한 새로운 포트폴리오에는 DFN 5mm x 6mm 및 DFN 8mm x 8mm 패키지로 선택할 수 있는 5개의 650V 정격 e-모드 GaN FET - 80mΩ에서 190mΩ 사이의 RDS(on) 값 – 이 포함된다. 이 소자들은 고전압, 저전력(<650V) 데이터 통신/전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 응용 제품 등의 전력 변환 효율을 개선시켜준다. 이 제품들은 또한 더 높은 토크와 더 높은 출력 값을 가지는 정밀도를 갖춘 브러시리스 DC 모터 및 마이크로 서버 드라이브 설계에도 사용된다.
이 제품들 중에는WLCSP8 패키지로 제공되는 100V(3.2mΩ) GaN FET와 FCLGA 패키지로 제공되는 150V(7mΩ) GaN FET소자도 있다. 이 제품들은 데이터 센터의 보다 효율적인 DC-DC 컨버터, 더 빠른 충전(e-mobility 및 USB-C), 더 작은 LiDAR 트랜시버, 저잡음 클래스 D 오디오 증폭기를 비롯해 휴대 전화, 노트북 PC 및 게임 콘솔과 같이 전력 밀도가 높은 소비 가전 기기 등 다양한 저전압(<150V), 고전력 응용 제품에 적합하다.
GaN FET는 많은 전력 변환 응용 제품에서 가장 콤팩트한 크기로 최고의 전력 효율을 제공하며 자재명세서(BOM: Bill of Materials)를 크게 줄여준다. 이에 따라 GaN 소자는 서버 컴퓨팅, 산업 자동화, 소비자 가전 및 통신 인프라 등 전력 기능이 중요시되는 전자 기기에 점점 더 많이 채택되는 추세이다.
GaN 기반 소자들은 가장 빠른 전환/스위칭 기능(최고 dv/dt 및 di/dt)을 특징으로 하면서 저전력 및 고전력 변환 응용 제품에서 우수한 효율을 제공한다. 넥스페리아가 출시한 e-모드 GaN FET의 매우 낮은 Qg 및 QOSS 값은 뛰어난 스위칭 성능을 가능하게 하며 낮은 RDS(on)는 더 전력 효율적인 설계를 가능하게 해주기도 한다.
넥스페리아는 이번 출시를 통해 고전압, 고전력 응용 제품용 캐스코드 소자를 비롯해 고전압, 저전력 응용 제품용 650V e-모드 소자, 저전압, 고전력 응용 제품용 100/150V e-모드 소자 등 광범위한 전력 응용 제품에 적합한 GaN FET 제품들을 모두 공급하게 되었다.
한편 넥스페리아의 e-mode GaN FET는 대량 생산을 위해 8인치 웨이퍼 라인에서 제작되며 JEDEC 표준에 따른 산업 응용 분야에도 적합하다. 이번에 출시한 GaN 제품군의 확대는 고품질 실리콘 및 와이드 밴드갭 기술에 넥스페리아가 집중한 노력의 결과이다.
넥스페리아의 100V, 150V, 650V e-mode GaN FET에 관한 상세 정보는 nexperia.com/e-mode-gan-fets
에 있다.
