핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 이전에 LFPAK56E에서만 사용되었던 NextPower 80/100V MOSFET 포트폴리오에 대한 패키지 옵션에 LFPAK56 및 LFPAK88을 추가한다고 발표했다. 이 소자들은 통신, 서버 컴퓨팅, 산업, 전원 공급 장치, 고속 충전, USB-PD 및 모터 제어 응용 제품에서 감소된 스파이크 동작과 높은 효율을 결합하도록 설계된 제품들이다.
Qg*RDSon 성능 지수는 MOSFET 스위치의 효율성 향상을 목표로 하는 반도체 제조업체들의 오래된 과제였다. 그러나 이 수치를 계속 낮추면 MOSFET스위치를 켜거나 끌 때 스파이크 레벨이 증가함으로 인해 생성되는 전자기 간섭(EMI)의 양이 커지는 의도하지 않은 결과가 발생되었었다.
이를 새로운 문제로 파악한 넥스페리아는 다른 공정 기술 파라미터를 수정하는 것이 이 과제 해결에 어떻게 도움이 될 수 있는지 연구했다. 이러한 노력의 결과 넥스페리아는 Qrr(역회복 전하)이 낮아진 NextPower 80/100V MOSFET제품들의 출시에 성공했다. 이 소자들은 스위칭 전환 시 스파이크의 양을 크게 줄이면서 경쟁사들의 MOSFET제품들과 동일한 고효율 성능을 유지하는 동시에 EMI를 더 낮춰주는 특징을 가지게 되었다.
넥스페리아는 이러한 고효율, 저스파이크 NextPower 80/100V MOSFET제품들을 새로운 LFPAK56 및 LFPAK88패키지로 제공함으로써 설계자가 이 칩의 응용 제품 크기를 줄이면서도 구리 클립 패키징의 견고성을 높이게 했다. 이로써 설계 엔지니어 및 고객들은 기존 설계에 대한 추가 소스를 검증하는 새로운 옵션을 갖게 되었다.
넥스페리아의 NextPower MOSFET 제품들에 관한 상세 정보는
https://www.nexperia.com/products/mosfets/family/NEXTPOWER-80-100V-MOSFETS/
에 있다.
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