SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM3E 개발에 성공하고, 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 밝혔다.
HBM(High Bandwiidth Memory)는 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품으로, 이번에 개발된 HBM3E는 4세대 HBM3의 확장(Extended) 버전에 해당하는 5세대 제품이라는 것이 SK하이닉스의 설명이다.
SK하이닉스는 HBM3E가 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 밝혔다.
초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있으며, 어드밴스드 MR-MUF라는 반도체 칩을 적층하는 과정에서 칩 사이 회로를 보호하기 위한 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정을 적용해 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. 또한 기존 제품과의 하위 호환성을 갖춰 고객이 HBM3를 염두에 두고 구상한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다.
SK하이닉스는 HBM3을 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는데 성공했다면서, 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다고 강조했다.
엔비디아 하이퍼스케일, HPC(Hyperscale and HPC) 담당 이안 벅(Ian Buck) 부사장은 "엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션즈(Accelerated Computing Solutions)용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다"며 "앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사간의 협업이 계속되길 기대한다"고 밝혔다.
SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 "당사는 HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광 받고 있는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다"며 "앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것"이라고 말했다.
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