지금까지 HBM은 MCM 방식으로 인터포저를 통해 동일 PCB 메인 칩셋과 결합. 별도 구성된 기존 칩-메모리 방식에 비해 훨씬 빠른 성능을 제공해 왔지만, 근본적으로 분리된 칩이라는 근본적 한계는 여전했다. 하지만 6세대 이후 HBM은 메인 칩과 완전한 통합을 이루면서 이러한 한계를 극복할 것으로 기대되고 있는데, 이를 위해 SK하이닉스와 엔비디아가 협력 중이라는 소식이 알려졌다.
tomshardware에 따르면 SK하이닉스는 HBM4를 메인 칩 위에 올리는 통합 패키징 방식을 개발 중이며, 설계 특성상 메인칩 설계 업체와의 협력이 필수인 만큼 엔비디아를 포함한 팹리스 업체들과 설계 방식을 논의 중이라고 전했다. 또한, 이를 직접 생산하는 파운드리 기업과의 협력도 필요한 만큼 TSMC나 삼성 파운드리와의 협력도 진행될 것으로 전망된다.
현재 HBM은 메인칩과 인접한 탓에 반도체 밀도가 높아진데다, 전력 효율 자체는 높아졌지만 그 여유분을 고성능 구현을 위해 투입하는 과정에서 필연적으로 발열이 상승하는 부작용이 발생한다. 현재 메인칩과 HBM이 별도로 구성된 상황에서도 일부 문제가 되던 내용인데, 메인칩과 HBM을 하나의 칩으로 완전 통합하는데는 발열 관리에 대한 고민이 요구된다.
한편, 삼성전자는 2025년, SK하이닉스는 2026년 HBM4 양산을 목표로 하고 있다.
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