TSMC가 자사의 차세대 2nm급 공정인 N2를 연말 이전에 본격적인 대량 생산(Volume Production)에 돌입할 계획이라고 알렸다.
해당 공정은 TSMC가 처음으로 채택하는 GAA (Gate-All-Around) 나노시트 트랜지스터 기반 기술이며, 이전 세대 FinFET 기반 공정 대비 성능 향상과 전력 효율 개선, 집적도 증가를 목표로 한다.
TSMC는 이어서 2026년 하반기, N2 공정을 개선한 N2P 공정 생산을, 2027년에는 N2X 공정 생산을 게획 중이며, N2P 공정은 N3E 대비 약 18% 성능 향상, 약 36% 전력 절감, 그리고 약 20% 높은 트랜지스터 밀도를 실현할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
한편, 현재 TSMC의 주요 경쟁사로 꼽히는 삼성전자의 경우 2025년 말까지 수율을 70% 까지 끌어올리며 2nm급 SF2 공정을 도입한다는 계획을 밝혔고, 이와 관련해 엑시노스 2600이 갤럭시 S26 시리즈에 탑재될 것이란 루머성 소식이 나오고 있다.
인텔 역시 Intel 20A 및 18A 공정을 통해 RibbonFET(자사 GAA 구조)과 PowerVia(백전력 공급 기술)를 내세워 TSMC보다 반 세대 빠른 공정 완성도를 강조하고 있으며, 관련해서 AMD와 협상 중이라는 소식이 전해진 바 있다.
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