내년 글로벌 메모리 시장은 인공지능(AI) 수요 확대와 제한된 공급 환경 속에서 강력한 성장세가 예상된다고 테크인사이츠가 ‘2026 메모리 전망’ 보고서에서 발표했다. AI 확산으로 고성능•저전력 메모리 수요가 증가하면서, D램과 낸드는 SRAM 수준의 속도, HBM급 대역폭, 비휘발성, 확장성을 향해 진화하고 있다.
디램 기술은 10nm급 이하 D1c/D1-감마 노드로 확장되며, AI 애플리케이션을 위한 고성능•저전력HBM4와 차세대 디램이 시장을 주도할 전망이다. 삼성, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 업체는 6F²•4F² 셀 구조, 3D 디램, 새로운 채널 소재(IGZO) 등을 도입해 성능과 에너지 효율을 동시에 개선하고 있다.
HBM과 HBF(High-Bandwidth Flash)는 AI 가속기, 고성능 컴퓨터(HPC), 데이터센터에서 요구되는 고성능 메모리 수요를 충족하며, 16Hi HBM4 모듈, LPW 디램, 소캠 등 혁신 기술이 2026년 상용화될 예정이다. 키오시아(KIOXIA)와 샌디스크(SanDisk)의 HBF 기술은 AI 엣지 장치에서도 HBM을 대체할 잠재력을 갖춘다.
3D 낸드는 하이브리드 본딩, 신규 WL 소재, 계단 없는 WLC 구조 등의 신기술을 통해 발전하고 있다. 신기술을 토대로 삼성과 마이크론, YTMC가 200단대 3D 낸드 제품을 올해 출시했으며, SK하이닉스의 300단대 제품도 곧 나올 전망이다. 1000단 이상의 3D 낸드 제품은 설계 방식과 공정, 새로운 소재의 혁신을 통해 달성 가능하다.
미국은 AI 메모리와 첨단 디램과 낸드 장비의 중국 수출을 제한하며 내년에도 제약을 지속할 예정이다. 이에 중국의 양쯔메모리테크놀로지(YMTC), 창신메모리(CXMT), 푸진진화반도체(JHICC) 등 기업들은 기술 자립을 강
화하고 하이브리드 본딩 등 자체 혁신 기술 개발을 가속화하고 있다.
내년 메모리 시장은 AI 중심 수요 증가와 제한된 공급 속에서 디램, HBM, 낸드 모두 강력한 성장세가 예상된다. 특히 HBM4는 AI 학습과 추론용 가속기에서 핵심 역할을 수행하며, 고성능 디램과 고용량 낸드는 데이터센터와 엣지 장치에서의 활용도를 높일 전망이다. 다만 DDR4 및 일부 일반 낸드 공급 부족과 소비자용 PC•스마트폰 수요 둔화는 시장 성장에 제약 요인으로 작용할 수 있다.
요약하면, 내년은 AI와 데이터 중심 경제 시대에 대응하기 위한 메모리 기술 혁신과 공급 전략이 본격적으로 시험대에 오르는 해로, 성능과 에너지 효율, 확장성이 글로벌 메모리 산업 경쟁력의 핵심 요소가 될 전망이다.
[영상] 메모리 가격 폭등 부추기는 공포 마케팅과 대형 PC 제조사들, [메모리 가격 폭등 3부] 
