삼성전자가 차세대 낸드 플래시 기술 경쟁에서 900단급 V낸드(V-NAND) 프로토타입 구현에 성공했다는 소식이 전해졌다.
삼성전자의 900단 V낸드는 기존처럼 단일 구조를 계속 높이는 방식이 아니라 상대적으로 안정적인 두 개의 적층 구조를 결합하는 방식으로, 450단 셀 웨이퍼 두 장을 하나로 결합하는 CMB(Cell Multi-Bonding) 기술이 적용된 것으로 알려졌다
낸드 적층 수가 증가하면 동일 면적에서 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 SSD와 데이터센터 스토리지의 용량 및 집적도를 높일 수 있다. 동시에 전력 효율 개선 효과도 기대할 수 있어 AI 서버와 클라우드 인프라 확대 흐름과 맞물려 중요성이 커지고 있다.
다만 초고적층 낸드는 적층 높이가 증가할수록 웨이퍼 휨(Warpage), 정렬 오차, 구조 안정성 등 제조 난도가 급격히 높아지는 문제가 있다. 삼성전자는 이를 해결하기 위해 새로운 상부 척(Upper Chuck) 설계와 오버레이 보정(Overlay Correction) 기술 등을 적용한 것으로 알려졌다.
현재 시장에서는 SK하이닉스가 321단 NAND를 양산 중이며, 중국 YMTC는 294단 낸드 생산을 진행 중인 가운데, 삼성전자가 이번 900단 기술 시연을 통해 다시 한 번 초고적층 낸드 기술 주도권을 확보할 수 있을지 주목된다.
한편, 삼성전자는 수 년 내 400단 이상의 제품 출시, 2030년 1000단 낸드 출시를 목표로 하고 있다.
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