삼성전자와 하이닉스가 차세대 비휘발성 메모리 원천기술의 공동개발에 나섰다.
1월 24일 한양대학교 종합기술원에서 산업자원부, 삼성전자, 하이닉스, 한양대학교 관계자들이 참석한 가운데 차세대 비휘발성 메모리 분야의 원천기술 협약식을 가졌다. 이 날 행사에는 하이닉스반도체 박성욱 부사장, 삼성전자 이원성 부사장, 산업자원부 김용근 차관보, 한양대학교 여홍구 부총장 등이 참석했으며, 동 사업단의 1단계 개발결과인 차세대 메모리 원천기술 특허의 권리이전 협약식도 함께 거행되었다.
삼성전자와 하이닉스는 이미 작년 말부터 시작된 산업자원부 추진의 '차세대 테라비트급 비휘발성 메모리사업' 2단계에 공동 참여해왔으며, 이 날 행사를 통해 다시 한번 차세대 메모리 분야의 원천기술 공동개발의 의지를 다졌다. 특히 양사는 기존 6개 사업단 비휘발성 메모리 과제 뿐만 아니라 차세대 메모리로 급부상하고 있는 STT램 공동개발에 협력하기로 했다.
STT램은 자기적 성질을 이용한 차세대 메모리로 2012년부터 시장이 형성될 것으로 예상되고 있으며, 일본에서도 국가 R&D 과제로 2006년부터 산학연 개발을 진행 중이기도 하다.
지난 2004년부터 산업자원부 주도로 시작된 '차세대 테라비트급 비휘발성 메모리사업'은 국내 산/학/연의 전문가들이 참여하여 차세대 테라비트급(1012bit) 비휘발성 메모리 원천기술개발을 진행하고 있으며, 산업자원부는 7년간 약 525억을 투자할 예정이다.
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