하이닉스반도체(이하 하이닉스)가 차세대 메모리 STT램의 기술 개발 업체인 미국 그란디스(Grandis)와 STT램 기술에 대한 라이센스 및 공동 개발 계약을 체결했다고 밝혔다.
이번 계약에 따라 하이닉스는 업계 최초로 그란디스로부터 STT램에 대한 기술 라이센스를 취득했으며, 향후 두 회사는 양 사의 연구 인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력하기로 했다.
STT램(Spin-Transfer Torque RAM)은 자기적 성질을 이용한 차세대 메모리로 전력 공급이 없어도 정보를 보관하는 비휘발성 메모리이며 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능하고, D램 이상의 고용량을 구현할 수 있어 기존의 D램과 낸드플래시 메모리의 장점을 고루 갖추고 있다. 또한 주요 메모리들보다 소비 전력이 낮고 D램보다 속도가 빠른 S램 수준의 초고속 동작이 가능해 다양한 어플리케이션에 적용이 가능하고 내성이 매우 강해 데이터가 손상되지 않아 안정성 측면에서도 높은 수준을 갖춘 기술이다.
하이닉스는 특히 STT램이 기존 메모리 제품에서 기술적, 물리적 한계로 여겨지는 40nm(나노미터)이하에서도 집적이 가능하기 때문에 최적의 차세대 메모리로 평가받고 있으며, 2012년경부터 본격적인 시장이 형성되어 초기에는 모바일 분야에 쓰이는 노어플래시를 대체하고 중장기적으로는 D램까지도 대체할 수 있을 것으로 전망했다. 또한, 이번 STT램 개발을 통해 현재 진행 중인 P램 및 Z램 등 다양한 차세대 메모리 기술의 라인업을 구축해 향후 시장 주도 제품의 변화에도 한층 더 유연한 대응력을 확보할 수 있게 되었다고 언급했다.
한편, 하이닉스는 이번 계약과는 별도로 지난해 말부터 시작된 지식경제부 주관의 '차세대 테라비트급 비휘발성 메모리 개발'의 2단계 사업의 일환으로 지난 1월 삼성전자와도 STT램 공동 개발을 추진하기로 합의했으며, 이것은 국가 R&D 사업으로 그란디스의 기술과 동작 원리는 같지만 데이터 저장 장소를 구현하는 방식에는 차이가 있어 독립적인 별개의 개발 과제로 진행될 예정이라고 덧붙였다.
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