하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 66nm 기술을 적용한 1Gb(기가비트) 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) 제품을 개발했다고 밝혔다.
이번에 개발된 1Gb 모바일 LPDDR2는 지난 해 하이닉스가 개발한 1Gb 모바일 DDR 제품 이후 8개월 만에 개발에 성공한 것으로, JEDEC(국제반도체표준협의 기구) 규격을 만족하며 세계 최초로 1.2V 전압에서 업계 최고속인 800Mbps 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 급속히 발전하는 모바일 기기에 최적화된 제품이다.
또한 66nm 공정으로 9x12mm 크기로 패키지가 가능하며, 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 '원 칩 솔루션' 기능을 갖춰 탑재 기기의 사양에 맞춰 변경해 사용할 수 있다.
하이닉스는 1Gb 모바일 LPDDR2 제품을 올해 4분기부터 양산 예정이며, 1Gb 이상 고용량 모바일 메모리 시장을 선점하기 위해 칩셋 업체와 공동으로 모바일 LPDDR2의 국제 표준화를 선도할 계획이라고 밝혔다. 또한 올해 수익성 1위 탈환을 위해 모바일 D램을 비롯한 고부가가치 제품의 비중을 대폭 늘리고, 모바일 D램의 현재 시장 점유율 7%를 3배 가까이 확대할 것이라고 덧붙였다.
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