삼성전자와 하이닉스에서 세계 1위 메모리반도체 강국의 위상을 강화하기 위해 '반도체 3대 기술협력'을 적극 추진하기로 합의했다.
지식경제부는 금일 개최된 '반도체 통합협회 출범식 및 발전전략 보고회'에서 삼성전자 권오현사장, 하이닉스 김종갑사장, 동부하이텍 오영환 사장, 코아로직 황기수 사장 등 업계대표는 이윤호 지식경제부 장관과 함께 '반도체산업 기술협력 협약' 및 '반도체협회 통합 MOU'를 체결했다고 밝혔다.
삼성전자와 하이닉스는 차세대 반도체 시장에 대한 국내 업계의 공동 대응이 필수적이라는데 공감하고, '신 메모리 공동 R&D', '반도체산업 표준화', '장비·재료 국산화 확대'를 핵심으로 하는 반도체 3대 기술협력을 통해 대기업-대기업간 공동 R&D로 기술 경쟁력을 높이고, 대기업-중소기업간 기술 지원으로 장비·소재 국산화를 확대하는 포괄적 기술협력 전략을 추진하기로 했다.
우선 삼성전자와 하이닉스는 핵심 원천기술을 해외에 의존하는 문제점을 극복하기 위해 테라비트급 차세대 반도체 원천기술 개발을 위한 공동 R&D를 금년 9월부터 본격 개시하며, 이를 통해 2012년 시장이 형성될 것으로 예상되는 STT-MRAM을 중점 개발해 원천기술을 선점하고 연간 5억불 이상의 로열티 효과를 가진다는 계획이다.
아울러 지식경제부는 반도체 업계와 함께 차세대 반도체 제품, 장비·재료 시장 선점 및 국내 생산라인 효율성 증대를 위한 업계 공동의 '표준화 전략'을 사상 최초로 추진할 예정이다. 표준화 전략은 2012년 450mm 웨이퍼로의 규격 전환을 대비해 450mm 국제 표준 선점을 통해 대규모 신규 장비·재료 시장 주도권을 확보한다는 목표 아래 8월 중에 '표준화 협의체'를 구성하고 장비·재료·제품의 3개 분야별 워킹그룹을 중심으로 국내 및 국제 표준 활동을 병행할 계획이다.
지식경제부는 과거 우리나라 반도체 업계가 G7사업이라고 불리는 공동 R&D를 통해 세계 최초로 64M D램을 개발해 2000년대 메모리 1위로 도약한 것처럼, 금번 공동 R&D 역시 2010년 차세대 메모리 1위로 나아가는 중요한 계기가 될 것으로 전망했다.
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