삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2기가 비트(Giga bit) DDR3 D램 개발에 성공해 10월부터 양산할 예정이라고 밝혔다.
50나노 2기가 비트 DDR3는 2007년 전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps(초당 800메가비트의 데이터 처리) 대비 약 1.6배인 1.333Gbps(1,333Mbps)를 구현하며, 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상되었다.
이번에 개발한 2기가비트 D램 솔루션으로 고용량 DDR3 모듈을 양산할 예정으로 서버용 8기가 바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션 및 데스크탑 PC용 4기가 바이트(GB) UDIMM, 노트북용 4기가바이트(GB) SODIMM 등을 제작하여 다양한 응용처에 대해 메모리 솔루션 용량 확대를 가속화할 예정이다.
한편, 기존 2기가 비트 DDR2 D램 단품의 경우 칩 사이즈가 커서 고용량 모듈 제품을 만들기 위해서는 패키지 적층 기술(DDP: Double Die Package)을 적용, 2Gb 칩 2개를 하나로 만들어 탑재해왔다.그러나 2기가 비트 DDR3는 DDR2 D램 패키지 대비 대폭 축소되어, 적층기술 없이 고용량 모듈 제작이 가능해 원가를 절감할 수 있다.
또한 1기가바이트 DDR3 D램 단품을 탑재한 현존 최고 용량 서버용 16기가바이트 DDR3 모듈의 경우는 1Gb DDR3 단품에 4단 적층(QDP: Quad Die Package) 기술을 적용해 원가 부담이 있었으나, 이번에 2기가 DDR3 D램이 출시됨으로써 2단 패키지 적층 기술(DDP)로 양산 예정이다.
2기가 바이트 DDR3를 활용하면 공정과 원가 측면 뿐만 아니라 전력 측면에 있어서도 큰 개선이 가능하다. 8기가 바이트 D램 모듈의 경우, 기존 1기가 비트 DDR3 D램 72개로 구성하던 것을 2기가비트 36개로 대체할 수 있기 때문에 40% 이상 전력을 절감할 수 있고, 이에 따라 시스템 작동時 발열량이 크게 줄어 신뢰성이 향상된다.
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