삼성전자에서 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 발표했다.
지난 2007년 세계 최초로 60나노 공정 2Gb DDR2 D램 개발을 시작으로 지난 해 9월에는 50나노 공정의 2Gb DDR3 D램을 개발한데 이어 5개월만에 2배 용량인 4Gb DDR3 D램을 개발한 것이다.
이번에 개발된 4Gb DDR3 D램은 50나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps의 데이터 처리 속도를 구현해 기존 DDR3 D램의 1.5V보다 소비 전력 및 성능이 향상되었다. 서버용 16GB RDIMM이나 워크스테이션/데스크탑용 8GB UDIMM, 그리고 노트북용 8GB SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 적용되며, 패키지 적층 기술을 적용할 경우 32GB 모듈 개발도 가능하다.
또한 같은 용량의 D램 모듈을 제조할 경우에도 더 적은 숫자의 D램을 사용하기 때문에 소비 전력을 크게 줄일 수 있다. 16GB D램 모듈을 제조할 경우 1Gb D램은 144개가 필요하지만, 2Gb D램의 경우 72개, 그리고 이번에 개발된 1.35V 동작 50나노급 4Gb DDR3 D램은 36개만으로 제작할 수 있어 1Gb D램 대비 70%, 2Gb D램 대비 40% 이상 전력 소비를 줄인 저전력 메모리 솔루션 구축을 제공할 수 있다.
삼성전자는 데이터 센터 등 많은 서버를 설치하는 곳에서 저전력 메모리를 탑재하면 단순히 전기료를 줄이는 1차적인 효과 외에도 열 방출 장비나 파워 공급 설비의 설치 및 유지/보수 비용 절감과 공간 절약 등의 2차적인 경비 절감 효과도 볼 수 있으며, 고용량 메모리 시장의 확대에 따라 4Gb D램 수요가 더욱 증가할 것으로 기대한다고 언급했다.
한편, 반도체 시장 조사기관인 IDC는 세계 DDR3 D램 시장 규모가 비트(Bit) 기준으로 전체 D램 시장에서 2009년 29%, 2011년 75%를 차지하게 되고, DDR3 D램 가운데 2Gb 이상의 비중도 Bit(1Gb) 기준으로 2009년 3%, 2011년 33%를 점유할 것으로 전망했다.
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