하이닉스반도체(이하 하이닉스)는 2010년 투자계획을 3조 5백억원으로 확대한다고 밝혔다.
하이닉스는 2010 투자계획 금액과 관련해 기존 2조 3천억원에서 7천5백억원 늘어난 3조 5백억원으로 확대한다고 밝혔다.
이번 투자확대 배경으로는 견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리반도체 시장환경이 변화되고 있는 가운데, 서버·그래픽·모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것이라고 설명했다. 또한, 차세대 제품 개발을 위한 R&D에도 투자를 확대해 기술경쟁력을 강화한다는 전략이다.
금번 확대된 투자는 경쟁사대비 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 약 15% 수준인 40나노급 제품비중을 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 예정이다. 40나노급 D램은 50나노급 대비 생산성이 50% 이상 향상되어 원가경쟁력이 강화되고, 이를 바탕으로 DDR3 등의 제품을 고객에게 적기에 공급해 수익성을 높인다는 계획이다.
하이닉스는 미세공정전환 가속화 및 차세대 제품 개발역량 집중으로 경쟁사들과의 원가 및 기술 경쟁력 격차를 더욱 확대할 계획이라고 덧붙였다.
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