삼성전자가 올해 여름부터 미국 지역을 시작으로 일반 소비자들에게 본격적으로 30nm급 DDR3 DRAM 메모리 공급을 시작할 것이라는 소식이다.
삼성전자는 2010년 초 40nm 공정을 적용한 DRAM을 생산하기 시작했고 2010년 4분기에는 30nm 공정을 적용할 것으로 알려졌으며, 2011년부터 하이닉스와 더불어 30nm급 DRAM 양산을 시작한 것으로 알려졌다. 그런 가운데 최근 삼성전자가 빠르면 올해 여름부터 미국을 시작으로 일반 소비자를 대상으로 30nm급 DDR3 메모리 공급을 시작할 것이라고 tcmagazine은 전했다.
[삼성전자 30nm DDR3 DRAM 칩]
삼성전자가 공급할 30nm급 DDR3 DRAM에는 2GB와 4GB 모듈 (4GB/ 8GB 킷 포함)을 제공하며, 이 모듈들은 최대 1600MHz 동작하고 히트스프레드는 포함되지 않는다. 가격대는 30달러 ($30)에서 110달러 ($110) 수준이 될 것으로 예상된다. 또한, 데스크탑용 VLP (Very Low Profile) UDIMMs과 노트북용 SO-DIMMs 등도 포함되고 있는 것으로 알려져 있다.
현재 DRAM 공정은 삼성전자와 하이닉스를 비롯하여 엘피다 등의 메모리 칩 제조사들에서 30nm급에 이어 25nm를 포함한 20nm급 DRAM 생산에 박차를 가하고 있다. 삼성전자는 올해 안으로 20nm급 생산 계획을 갖고 있고 하이닉스도 올해 20nm급 DRAM 개발을 완료할 계획인 것으로 알려져 있다.
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