마이크론(Micron)이 핫 칩 컨퍼런스(Hot Chips conference)에서 차세대 DRAM 기술을 선보였다.
tom's hardware에 따르면 마이크론이 하이브리드 메모리 큐브(HMC)라 명명한 기술은 메모리 칩 내부에 적층 시킨 로직 레이어를 실리콘 비아스(silcon vias)로 연결, 각 레이어간의 간격을 좁힐수록 성능이 급속히 향상된다.
마이크론이 핫 칩 컨퍼런스에서 선보인 프로토타입의 HMC 메모리는 128GBps의 성능을 발휘했으며, 현재 DDR3-1600이 12.8GBps의 성능을 제공하는 것과 비교하면 10배의 성능이 향상된 셈이다.
마이크론에 따르면 싱글 HMC는 DDR3와 비교시 1/10의 전력을 소모하면서 약 20배 높은 대역폭을 제공할 수 있을 것이며, HMC의 필요 면적은 RDIMM과 비교해 1/10 수준이라고 설명했다.
정확한 양산과 구매 가능 일정에 대한 내용은 언급되지 않았지만, HMC 기술이 상용화될 경우 시스템 퍼포먼스 향상에 크게 기여할 것으로 기대되나, 가격 안정화와 호환성등에 따라 데스크탑과 노트북 시장에 안착할 수 있을 지, 서버나 엔터프라이즈 시장등 제한된 시장에서만 활용될지 여부가 결정될 것으로 판단된다.
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