일본의 메모리 업체 엘피다(Elpida)에서 세계 최초로 25nm 공정의 4Gb DDR3 SDRAM을 개발했다고 발표했다.
엘피다는 지난 22일 보도자료를 통해 25nm 공정을 채용한 4Gb(기가비트) DDR3 SDRAM의 개발을 완료했으며, 이 제품은 4Gb 용량에 세계 최소 칩 크기를 실현했다고 밝혔다.
이번에 엘피다가 개발한 25nm 공정 4Gb DDR3 SDRAM은 지난 5월 2Gb DDR3 SDRAM 개발을 발표한지 4개월만에 이뤄진 것으로, 기존의 30nm 공정에 비해 웨이퍼 1장당 칩 생산량이 약 45% 증가해 비용대비 생산성이 크게 개선될 것으로 보인다.
25nm 신제품은 기존 30nm 공정 제품 대비 동작 전류는 25~30%, 대기 전류는 30~50% 줄었으며, 데이터 속도는 1866Mbps의 업계 최고 수준을 지원한다. 동작 전압은 1.5V 기본 제품과 1.35V의 저전압 제품으로 구분된다.
엘피다는 이번에 개발한 신제품이 PC 뿐만 아니라 대규모 정보 처리가 필요한 데이터 센터에서 사용되는 각종 서버, 태블릿과 울트라북에 순차적으로 채용될 것으로 전망했다.
한편, 엘피다의 25nm 4Gb DDR3 SDRAM 개발 발표와 같은 날, 메모리 시장 1위 기업인 삼성전자에서는 20나노급 2Gb DDR3 D램 양산에 들어갔다고 발표했으며, 연말에는 4Gb DDR3 D램 양산을 시작할 것이라고 밝혔다.
특히 새로운 공정의 D램 개발에서 실제 양산까지는 많은 시간이 소요되며, 삼성전자는 이미 20나노급 제품 양산을 시작했으나 엘피다는 이제 막 40나노에서 본격적인 30나노 공정 전환을 시작했기 때문에 엘피다의 25nm 제품 양산은 당분간 이뤄지기 어려울 것으로 보인다.
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