2011년 12월에 128Mb 상변화 메모리 시연 모습을 공개했던 마이크론(http://www.micron.com/)이 세계 최초로 45nm 기반의 PCM(Phase Change Memory, 상변화 메모리) 양산을 실시한다고 밝혔다.
이번에 마이크론이 양산을 시작한 PCM은 모바일 디바이스를 위한 1Gb 모델로, 512Mb의 LPDDR2 메모리와 PCM이 JEDEC 표준으로 통합된 MCP(multichip package) 방식의 제품이며, 렌덤 읽기 성능은 최대 400MB/s, 10만회 이상의 쓰기가 가능하다.
마이크론은 이번에 양산을 시작한 상변화 메모리 MCP가 인텔 모바일과 TI OMAP PandaBoard, 안드로이드 OS등의 플랫폼과의 호환성을 확인하였으며, PCM 메모리의 특성상 낸드 플래시에서 새로운 데이터를 쓰기 위해 선 수행되어야 했던 셀의 잔여 데이터 삭제 작업이 필요없고, 플로팅 게이트 기술로 데이터 저장 기간을 향상 시켰다고 설명했다.
90nm급 512Mb PRAM(출처 : IEDM 2006)
SSD와 모바일 기기들에 사용 중인 낸드 플래시는 공정이 미세해지면서 가격과 대량 생산은 유리하나 수명이 불리해지는 문제를 안고 있는데, 이러한 낸드 플래시의 대안 기술로 주목 받아온 상변화 메모리(PCM)는 전류를 이용해 상변화 메모리 소자의 결정 상태를 바꿔서 기록하므로 낸드 플래시에서 불가능했던 덮어 쓰기가 가능하고, 쓰기 수명도 1천만회 이상 가능한 것으로 알려졌다.
현재, 낸드 플래시를 대체할 차세대 비휘발성 메모리는 마이크론에서 양산을 시작한 상변화 메모리외에 저항변환 메모리(ReRAM or RRAM, Resistive RAM), 자기저항 변화 메모리(MRAM, Magnetoresistive RAM)등이 차세대 비휘발성 메모리 시장을 놓고 경쟁을 벌이고 있다.
