현재 SSD에 쓰이는 낸드 플래시는 생산량 증가를 위한 공정 미세화나 단위 셀당 저장 용량을 키우는 작업 등이 모두 낸드 플래시의 수명과 성능에 부정적인 영향을 미치기에 이를 대체하기 위한 비휘발성 메모리 개발이 이뤄지고 있는데, 도시바와 샌디스크가 협력해 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있는 ReRAM의 용량을 약 500배 늘린 ReRAM을 발표했다.
ISSCC 2013에서 발표된 도시바와 샌디스크가 발표한 ReRAM은 32Gbit 이중레이어 크로스 포인트 (bilayer cross-point) 방식으로, 지난 ISSCC 2010에서 유니티 세미컨덕터社가 선보인 64Mbit ReRAM 대비 용량면에서 500배 증가한 것이다.
이번에 발표된 32Gbit ReRAM은 24nm 공정, 유효 셀 면적 130.7mm2, 페이지 크기 2Kbyte, 낸드 플래시 메모리 인터페이스와 호환성을 유지, 읽기/ 쓰기 레이턴시는 각각 40μs/ 230μs으로, 샌드시크와 합병된 매트릭스 세미컨덕터社에서 개발한 기술과 유사한 2중 레이어 메모리 배열을 이용해 밀도를 높인 것으로 알려졌다.
한편, 샌디스크와 도시바의 이번 32Gbit(8GB) ReRAM의 상용화 일정이나 수율, 신뢰성 등에 대한 정보는 전해지지 않았으며, 양사는 ReRAM의 용량을 늘리기 위해 MLC(Multi Level Cell) 기술 도입과 2개 이상의 메모리 레이어 적층 연구를 계속할 것으로 전했다.
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