샌디스크에서 2세대 19nm 공정 기반의 소비자용 낸드 플래시 메모리 샘플링을 시작했다고 밝혔다.
샌디스크는 이번 2세대 19nm 공정을 통해 현재 낸드 플래시의 19nm~26nm 공정을 19nm~19.5nm로 개선하면서 메모리 셀이 차지하는 공간을 약 25% 감소시킬 수 있으며, 샌디스크의 ABL(All-Bit-Line) 아키텍처 및 다층 데이터 저장 관리 정책을 통해 공정 축소로 발생할 수 있는 MLC 낸드 플래시 메모리 칩의 성능과 내구성을 개선했다고 언급했다.
한편, 샌드시크는 이번 2세대 19nm 공정을 TLC 낸드 플래시 생산에 적용할 계획이며, 지속적으로 공정 개선과 새로운 생산 기술 개발을 통해 낸드 플래시 제품의 가격과 용량 개선에 앞장서며 모바일 폰과 태블릿, SSD 시장을 주도해 나갈 것이라고 포부를 밝혔다.
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